Көбүнчө кардарларга багытталган жана биздин негизги максатыбыз - эң кадыр-барктуу, ишенимдүү жана чынчыл камсыздоочу гана эмес, ошондой эле кардарларыбыз үчүн Кытайдагы эң төмөнкү баадагы 1200c плазма күчөтүлгөн химиялык буу чөктүрүү боюнча өнөктөш болуу.PecvdVacuum Funace, биз сиз үчүн эмне кыла аларыбыз тууралуу көбүрөөк билүү үчүн, каалаган убакта биз менен байланышыңыз. Биз сиз менен жакшы жана узак мөөнөттүү ишкердик мамилелерди түзүүгө даярбыз.
Көбүнчө кардарга багытталган жана биздин эң негизги максатыбыз - эң кадыр-барктуу, ишенимдүү жана чынчыл камсыздоочу гана эмес, ошондой эле кардарларыбыз үчүн өнөктөш болуу.Кытай плазмасынын күчөтүлгөн химиялык буу топтолушу, PecvdБиздин алдыңкы жабдууларыбыз, мыкты сапатты башкаруубуз, изилдөө жана иштеп чыгуу мүмкүнчүлүгүбүз баабызды төмөндөтөт. Биз сунуштаган баа эң төмөнкү болбошу мүмкүн, бирок биз анын таптакыр атаандаштыкка жөндөмдүү экенине кепилдик беребиз! Келечектеги ишкер мамилелер жана өз ара ийгилик үчүн биз менен дароо байланышууга кош келиңиз!
Көмүртек / көмүртек композиттери(мындан ары "C / C же CFC”) – бул көмүртектин негизинде жасалган жана көмүртек буласы жана анын продукциялары (көмүртек буласынын преформасы) менен бекемделген композиттик материалдын бир түрү. Ал көмүртектин инерциясына да, көмүртек буласынын жогорку бекемдигине да ээ. Ал жакшы механикалык касиеттерге, ысыкка туруктуулукка, коррозияга туруктуулукка, сүрүлүүгө туруктуулукка жана жылуулук жана электр өткөрүмдүүлүгүнө ээ.
CVD-SiCКаптоо бирдей түзүлүшкө, компакттуу материалга, жогорку температурага туруктуулукка, кычкылданууга туруктуулукка, жогорку тазалыкка, кислотага жана жегичке туруктуулукка жана органикалык реагентке, ошондой эле туруктуу физикалык жана химиялык касиеттерге ээ.
Жогорку тазалыктагы графит материалдары менен салыштырганда, графит 400°C температурада кычкылданып баштайт, бул кычкылдануудан улам порошоктун жоголушуна алып келет, натыйжада перифериялык түзүлүштөр жана вакуумдук камералар айлана-чөйрөнүн булганышына алып келет жана жогорку тазалыктагы чөйрөнүн аралашмаларын көбөйтөт.
Бирок, SiC каптоосу 1600 градуста физикалык жана химиялык туруктуулукту сактай алат, ал заманбап өнөр жайда, айрыкча жарым өткөргүчтөр өнөр жайында кеңири колдонулат.
Биздин компания графит, керамика жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен SiC каптоо процессин жүргүзөт, ошондуктан көмүртек жана кремнийди камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине чөккөн молекулаларды, SIC коргоочу катмарын түзөт. Пайда болгон SIC графит негизине бекем жабышып, графит негизине өзгөчө касиеттерди берет, ошентип графиттин бетин компакттуу, тешиксиз, жогорку температурага туруктуу, коррозияга туруктуу жана кычкылданууга туруктуу кылат.
Негизги өзгөчөлүктөрү:
1. Жогорку температурадагы кычкылданууга туруктуулук:
кычкылданууга туруктуулук температура 1600°Cге чейин жеткенде дагы эле абдан жакшы.
2. Жогорку тазалык: жогорку температурада хлордоо шартында химиялык буу менен чөктүрүү жолу менен жасалган.
3. Эрозияга туруктуулук: жогорку катуулук, тыгыз бет, майда бөлүкчөлөр.
4. Коррозияга туруктуулук: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
CVD-SIC каптамаларынын негизги мүнөздөмөлөрү:
| SiC-CVD | ||
| Тыгыздык | (г/см³)
| 3.21 |
| Ийилүүнүн күчү | (Мпа)
| 470 |
| Термикалык кеңейүү | (10-6/K) | 4
|
| Жылуулук өткөрүмдүүлүгү | (Вт/мК) | 300
|
