Gyakran ügyfélközpontúak vagyunk, és végső célunk, hogy ne csak a legmegbízhatóbb, legbecsületesebb és legelismertebb szolgáltatóvá váljunk, hanem ügyfeleink partnerévé is a szuper legalacsonyabb áron gyártott kínai 1200°C-os plazma-erősítésű kémiai gőzfázisú leválasztás terén.PecvdVacuum Funace, Ha többet szeretne megtudni arról, hogy mit tehetünk Önért, vegye fel velünk a kapcsolatot bármikor. Reméljük, hogy jó és hosszú távú üzleti kapcsolatot alakíthatunk ki Önnel.
Gyakran ügyfélközpontúak vagyunk, és végső célunk, hogy ne csak a legmegbízhatóbb, legbecsületesebb szolgáltatóvá váljunk, hanem ügyfeleink számára a legmegbízhatóbb partnerré is.Kínai plazmaerősítésű kémiai gőzfázisú leválasztás, PecvdKorszerű berendezéseink, kiváló minőségirányításunk, kutatási és fejlesztési képességünk alacsonyan tartják árainkat. Az általunk kínált ár lehet, hogy nem a legalacsonyabb, de garantáljuk, hogy abszolút versenyképes! Kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot azonnal a jövőbeni üzleti kapcsolat és a kölcsönös siker érdekében!
Szén / szén kompozitok(a továbbiakban: „C / C vagy CFC”) egyfajta szén alapú kompozit anyag, amelyet szénszállal és annak termékeivel (szénszál előgyártmány) erősítenek meg. Rendelkezik a szén tehetetlenségével és a szénszál nagy szilárdságával. Jó mechanikai tulajdonságokkal, hőállósággal, korrózióállósággal, súrlódáscsillapítással, valamint hő- és elektromos vezetőképességgel rendelkezik.
CVD-SiCA bevonat egyenletes szerkezetű, kompakt anyagú, magas hőmérséklettel szemben ellenálló, oxidációs ellenállású, nagy tisztaságú, sav- és lúgálló, szerves reagensekkel szemben ellenálló, stabil fizikai és kémiai tulajdonságokkal rendelkezik.
A nagy tisztaságú grafit anyagokkal összehasonlítva a grafit 400°C-on oxidálódni kezd, ami az oxidáció miatt porveszteséget okoz, ami környezetszennyezést okoz a perifériás eszközökben és a vákuumkamrákban, és növeli a nagy tisztaságú környezet szennyeződéseit.
A SiC bevonat azonban 1600 fokon is képes fizikai és kémiai stabilitást fenntartani, ezért széles körben használják a modern iparban, különösen a félvezetőiparban.
Cégünk CVD módszerrel végez SiC bevonatolási eljárást grafit, kerámiák és egyéb anyagok felületén, melynek során speciális, szenet és szilíciumot tartalmazó gázok magas hőmérsékleten reagálva nagy tisztaságú SiC molekulákat hoznak létre, amelyek a bevont anyagok felületére rakódnak le, SIC védőréteget képezve. A képződött SIC szilárdan kötődik a grafit alaphoz, különleges tulajdonságokat kölcsönözve a grafit alapnak, így a grafit felülete tömör, porozitásmentes, magas hőmérsékletnek ellenálló, korrózióálló és oxidációálló.
Főbb jellemzők:
1. Magas hőmérsékletű oxidációs ellenállás:
Az oxidációs ellenállás még 1600 °C hőmérsékleten is nagyon jó.
2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzfázisú leválasztással, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között állítják elő.
3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.
4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
A CVD-SIC bevonatok főbb jellemzői:
| SiC-CVD | ||
| Sűrűség | (g/cm³)
| 3.21 |
| Hajlító szilárdság | (MPa)
| 470 |
| Hőtágulás | (10-6/Ó) | 4
|
| Hővezető képesség | (W/mK) | 300
|
