Adesea orientați către client, iar obiectivul nostru final este să devenim nu doar probabil cel mai reputat, de încredere și onest furnizor, ci și partenerul clienților noștri pentru cel mai mic preț din China, prin depunere chimică din vapori îmbunătățită cu plasmă 1200c.PecvdVacuum Funace, Pentru a afla mai multe despre ce putem face pentru dumneavoastră, contactați-ne oricând. Așteptăm cu nerăbdare să stabilim relații de afaceri bune și pe termen lung cu dumneavoastră.
Adesea orientați către client, iar obiectivul nostru final este să devenim nu doar probabil cel mai reputat, de încredere și onest furnizor, ci și partenerul clienților noștri pentruDepunere chimică de vapori îmbunătățită prin plasmă în China, PecvdEchipamentele noastre avansate, managementul excelent al calității, capacitatea de cercetare și dezvoltare reduc prețul nostru. Prețul pe care îl oferim poate să nu fie cel mai mic, dar garantăm că este absolut competitiv! Vă așteptăm să ne contactați imediat pentru viitoare relații de afaceri și succes reciproc!
Compozite carbon/carbon(denumit în continuare „C/C sau CFC”) este un tip de material compozit pe bază de carbon, ranforsat cu fibră de carbon și produse ale acesteia (preforme din fibră de carbon). Are atât inerția carbonului, cât și rezistența ridicată a fibrei de carbon. Are proprietăți mecanice bune, rezistență la căldură, rezistență la coroziune, amortizare a frecării și caracteristici de conductivitate termică și electrică.
CVD-SiCAcoperirea are caracteristici precum structură uniformă, material compact, rezistență la temperaturi ridicate, rezistență la oxidare, puritate ridicată, rezistență la acid și alcaline și reactiv organic, cu proprietăți fizice și chimice stabile.
Comparativ cu materialele din grafit de înaltă puritate, grafitul începe să se oxideze la 400°C, ceea ce va cauza o pierdere de pulbere din cauza oxidării, rezultând poluarea dispozitivelor periferice și a camerelor de vid și creșterea impurităților din mediul de înaltă puritate.
Cu toate acestea, acoperirea cu SiC poate menține stabilitatea fizică și chimică la 1600 de grade, fiind utilizată pe scară largă în industria modernă, în special în industria semiconductorilor.
Compania noastră oferă servicii de acoperire cu SiC prin metoda CVD pe suprafața grafitului, ceramicii și a altor materiale, astfel încât gazele speciale care conțin carbon și siliciu reacționează la temperatură ridicată pentru a obține molecule de SiC de înaltă puritate, molecule depuse pe suprafața materialelor acoperite, formând un strat protector de SIC. SIC-ul format este ferm lipit de baza de grafit, conferind bazei de grafit proprietăți speciale, făcând astfel suprafața grafitului compactă, fără porozități, rezistentă la temperaturi ridicate, la coroziune și la oxidare.
Caracteristici principale:
1. Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate:
Rezistența la oxidare este încă foarte bună chiar și la temperaturi de până la 1600 °C.
2. Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori în condiții de clorurare la temperatură înaltă.
3. Rezistență la eroziune: duritate ridicată, suprafață compactă, particule fine.
4. Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.
Specificații principale ale acoperirilor CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densitate | (g/cc)
| 3.21 |
| Rezistență la încovoiere | (Mpa)
| 470 |
| Expansiune termică | (10-6/K) | 4
|
| Conductivitate termică | (W/mK) | 300
|
