Lọ́pọ̀ ìgbà, àwọn oníbàárà ló máa ń fẹ́ láti di olùpèsè tó ní orúkọ rere, tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé, tó sì jẹ́ olóòótọ́, ṣùgbọ́n pẹ̀lú alábàáṣiṣẹpọ̀ fún àwọn oníbàárà wa fún Super Lowest Price China 1200c Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.PecvdVacuum Funace, Láti mọ̀ sí i nípa ohun tí a lè ṣe fún ọ, kàn sí wa nígbàkigbà. A ń retí láti ní àjọṣepọ̀ tó dára àti tó gún régé pẹ̀lú rẹ.
Lọ́pọ̀ ìgbà, àwọn oníbàárà ló máa ń fẹ́ láti di olùpèsè tó ní orúkọ rere jùlọ, tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé, tó sì jẹ́ olóòótọ́ jùlọ, ṣùgbọ́n pẹ̀lú alábàáṣiṣẹ́pọ̀ fún àwọn oníbàárà wa fúnIfipamọ́ afẹ́fẹ́ kẹ́míkà tí a mú dara síi ní Plasma ti China, Pecvd, Awọn ohun elo wa ti o ni ilọsiwaju, iṣakoso didara to dara julọ, agbara iwadii ati idagbasoke jẹ ki idiyele wa dinku. Iye owo ti a nfunni le ma jẹ ti o kere julọ, ṣugbọn a ṣe idaniloju pe o jẹ idije patapata! Kaabo lati kan si wa lẹsẹkẹsẹ fun ibatan iṣowo ọjọ iwaju ati aṣeyọri mejeeji!
Àwọn àkópọ̀ erogba / erogba(tí a ń pè ní “"C/C tàbí CFC") jẹ́ irú ohun èlò àdàpọ̀ kan tí a gbé ka orí erogba tí a sì fi okun erogba àti àwọn ọjà rẹ̀ (preform carbon fiber) fún un lágbára. Ó ní inertia ti erogba àti agbára gíga ti okun erogba. Ó ní àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ tí ó dára, resistance ooru, resistance ipata, ideru ìfọ́mọ́ra àti àwọn ànímọ́ conductivity ooru àti itanna.
CVD-SiCìbòrí náà ní àwọn ànímọ́ bí ìṣètò ìṣọ̀kan, ohun èlò kékeré, resistance otutu gíga, resistance oxidation, ìwà mímọ́ gíga, resistance acid & alkali àti reagent organic, pẹ̀lú àwọn ohun-ini ti ara àti kemikali tí ó dúró ṣinṣin.
Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò graphite tí ó mọ́ tónítóní, graphite bẹ̀rẹ̀ sí í bàjẹ́ ní 400C, èyí tí yóò fa pípadánù lulú nítorí ìfọ́sídájú, èyí tí yóò yọrí sí ìbàjẹ́ àyíká sí àwọn ẹ̀rọ àyíká àti àwọn yàrá afẹ́fẹ́, àti pé yóò mú kí àwọn ohun àìmọ́ ti àyíká tí ó mọ́ tónítóní pọ̀ sí i.
Sibẹsibẹ, ibora SiC le ṣetọju iduroṣinṣin ti ara ati kemikali ni awọn iwọn 1600, O ti lo ni ibigbogbo ni ile-iṣẹ ode oni, paapaa ni ile-iṣẹ semiconductor.
Ilé-iṣẹ́ wa ń ṣe iṣẹ́ ìtọ́jú SiC nípasẹ̀ ọ̀nà CVD lórí ojú graphite, àwọn ohun èlò amọ̀ àti àwọn ohun èlò míràn, kí àwọn gáàsì pàtàkì tí ó ní erogba àti silicon lè ṣiṣẹ́ ní iwọ̀n otútù gíga láti gba àwọn ohun èlò SiC mímọ́ tó ga, àwọn ohun èlò tí a gbé sórí ojú àwọn ohun èlò tí a fi bo, tí wọ́n sì ń ṣe àkójọ ààbò SIC. SIC tí a ṣe ni a so mọ́ ìpìlẹ̀ graphite dáadáa, tí ó fún ìpìlẹ̀ graphite ní àwọn ànímọ́ pàtàkì, nípa bẹ́ẹ̀, ó ń jẹ́ kí ojú graphite náà jẹ́ kékeré, láìsí Porosity, resistance otutu gíga, resistance ipata àti resistance oxidation.
Awọn ẹya pataki:
1. Agbara ifoyina otutu giga:
Agbara oxidation naa tun dara pupọ nigbati iwọn otutu ba ga to 1600 C.
2. Ìmọ́tótó gíga: tí a ṣe nípasẹ̀ ìforúkọsílẹ̀ èéfín kẹ́míkà lábẹ́ ipò chlorine tí ó wà ní iwọ̀n otútù gíga.
3. Àìlègbé ìfọ́: líle gíga, ojú tí ó kéré, àwọn pàtákì díẹ̀.
4. Àìlera ìbàjẹ́: ásíìdì, alkali, iyọ̀ àti àwọn ohun èlò ìṣàn ara.
Àwọn Ìlànà Pàtàkì ti Àwọn Àwọ̀ CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Ìwọ̀n | (g/cc)
| 3.21 |
| Agbára ìrọ̀rùn | (Mpa)
| 470 |
| Ìfẹ̀sí ooru | (10-6/K) | 4
|
| Agbara itusilẹ ooru | (W/mK) | 300
|
