Seringna berorientasi ka konsumén, sareng éta mangrupikeun target utama kami pikeun janten henteu ngan ukur panyadia anu paling terhormat, tiasa dipercaya sareng jujur, tapi ogé mitra pikeun konsumén kami pikeun Déposisi Uap Kimia Plasma 1200c Harga Super Terendah CinaPecvdVacuum Funace, Kanggo terang langkung seueur ngeunaan naon anu tiasa kami laksanakeun kanggo anjeun, mangga ngahubungi kami iraha waé. Kami ngarep-ngarep tiasa ngawangun hubungan bisnis anu saé sareng jangka panjang sareng anjeun.
Seringna berorientasi ka konsumén, sareng éta target utama kami henteu ngan ukur janten panyadia anu paling terhormat, tiasa dipercaya sareng jujur, tapi ogé mitra pikeun konsumén kamiDéposisi Uap Kimia anu Ditingkatkeun Plasma Cina, Pecvd, Peralatan canggih kami, manajemen kualitas anu saé, kamampuan panalungtikan sareng pamekaran ngajantenkeun harga kami murah. Harga anu kami tawarkeun panginten sanés anu panghandapna, tapi kami ngajamin éta leres-leres kompetitif! Wilujeng sumping ngahubungi kami langsung pikeun hubungan bisnis ka hareup sareng kasuksésan silih!
Karbon / komposit karbon(salajengna disebut "C / C atanapi CFC”) nyaéta salah sahiji jenis bahan komposit anu dumasar kana karbon sareng dikuatkeun ku serat karbon sareng produkna (serat karbon preform). Éta ngagaduhan inersia karbon sareng kakuatan serat karbon anu luhur. Éta ngagaduhan sipat mékanis anu saé, tahan panas, tahan korosi, redaman gesekan sareng karakteristik konduktivitas termal sareng listrik.
CVD-SiCPalapis ieu mibanda ciri struktur seragam, bahan kompak, résistansi suhu luhur, résistansi oksidasi, kamurnian luhur, résistansi asam & alkali sareng réagen organik, kalayan sipat fisik sareng kimia anu stabil.
Dibandingkeun sareng bahan grafit anu kamurnian luhur, grafit mimiti ngoksidasi dina suhu 400°C, anu bakal nyababkeun leungitna bubuk kusabab oksidasi, anu nyababkeun polusi lingkungan kana alat-alat periferal sareng ruang vakum, sareng ningkatkeun pangotor lingkungan anu kamurnian luhur.
Nanging, palapis SiC tiasa ngajaga stabilitas fisik sareng kimia dina suhu 1600 derajat, Ieu seueur dianggo dina industri modéren, khususna dina industri semikonduktor.
Pausahaan kami nyayogikeun jasa prosés palapis SiC ku metode CVD dina permukaan grafit, keramik sareng bahan sanésna, supados gas khusus anu ngandung karbon sareng silikon réaksi dina suhu anu luhur pikeun kéngingkeun molekul SiC anu luhur, molekul anu diendapkeun dina permukaan bahan anu dilapis, ngabentuk lapisan pelindung SIC. SIC anu kabentuk napel pageuh kana dasar grafit, masihan sipat khusus kana dasar grafit, sahingga ngajantenkeun permukaan grafit kompak, bébas porositas, tahan suhu anu luhur, tahan korosi sareng tahan oksidasi.
Fitur utama:
1. Résistansi oksidasi suhu luhur:
Résistansi oksidasi masih saé pisan nalika suhu naék kana 1600 C.
2. Kamurnian luhur: dijieun ku déposisi uap kimia dina kaayaan klorinasi suhu luhur.
3. Résistansi érosi: karasana luhur, permukaanana kompak, partikelna lemes.
4. Résistansi korosi: réagen asam, alkali, uyah sareng organik.
Spésifikasi Utama Lapisan CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Kapadetan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kakuatan fléksibel | (Mpa)
| 470 |
| Ékspansi termal | (10-6/K) | 4
|
| Konduktivitas termal | (L/mK) | 300
|
