SiC Kouch Graphite MOCVD Wafer Carriers Susceptors

SiC Coating Graphite MOCVD Wafer Carriers Susceptors Imaj Anons Spesyal

Deskripsyon kout:

Susèpteur MOCVD VET Energy SiC Coated pou Kwasans Epitaxial la se yon pwodwi pèfòmans segondè ki fèt pou bay pèfòmans konsistan ak serye sou yon peryòd pwolonje. Li gen yon rezistans chalè ak inifòmite tèmik super bon, pite segondè, rezistans ewozyon, sa ki fè li solisyon pafè a pou aplikasyon pou pwosesis waf.

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

SiC kouch grafit MOCVD transpòtè wafer/susèpteur

Tout susèpteur nou yo fèt ak grafit izostatik ki gen gwo rezistans. Pwofite de gwo pite grafit nou yo – yo devlope espesyalman pou pwosesis difisil tankou epitaksi, kwasans kristal, enplantasyon iyon ak grave plasma, osi byen ke pou pwodiksyon chip LED.

Karakteristik pwodwi nou yo:

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo jiska 1700 ℃.
2. Segondè pite ak inifòmite tèmik
3. Ekselan rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
4. Segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
5. Pi long lavi sèvis ak plis dirab

Maladi Kadyovaskilè (MKV) SiC薄膜基本物理性能 Pwopriyete fizik debaz nan CVD SiCkouch
性质 / Pwopriyete	典型数值 / Valè tipik
晶体结构 / Estrikti Kristal	Faz FCC β多晶，主要为（111）取向
密度 Dansite	3.21 g/cm³
硬度 Dite	2500 维氏硬度（500g chaj）
晶粒大小 Gwosè grenn	2 ~ 10μm
纯度 / Pite Chimik	99.99995%
热容 / Kapasite Chalè	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Tanperati Siblimasyon	2700℃
抗弯强度 / Fòs fleksyon	415 MPa RT 4 pwen
杨氏模量 / Modil Young lan	430 Gpa 4pt koube, 1300 ℃
导热系数 / TèmlKonduktivite	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 Ekspansyon tèmik (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1

VET Energy se yon vrè manifakti pwodwi grafit ak carbure Silisyòm Customized ak diferan kouch tankou kouch SiC, kouch TaC, kouch kabòn vitrifye, kouch kabòn pirolitik, elatriye, ka bay divès pati Customized pou endistri semi-kondiktè ak fotovoltaik.

Ekip teknik nou an soti nan pi gwo enstitisyon rechèch domestik yo, ka bay ou solisyon materyèl ki pi pwofesyonèl.

Nou kontinye devlope pwosesis avanse pou bay materyèl ki pi avanse, epi nou te travay sou yon teknoloji patante eksklizif, ki ka fè lyezon ant kouch la ak substrat la pi sere epi mwens tandans pou dekole.

Nou kontan akeyi ou pou vizite faktori nou an, ann diskite plis!