Hír

BCD-folyamat
admin által, 2018.09.24-én
Mi a BCD eljárás? A BCD eljárás egy egychipes integrált eljárástechnológia, amelyet az ST vezetett be először 1986-ban. Ez a technológia bipoláris, CMOS és DMOS eszközöket képes létrehozni ugyanazon a chipen. Megjelenése jelentősen csökkenti a chip területét. Elmondható, hogy a BCD eljárás teljes mértékben kihasználja...
További információ
BJT, CMOS, DMOS és egyéb félvezető technológiai megoldások
admin által, 2010.09.24-én
Üdvözöljük weboldalunkon, ahol termékinformációkat és konzultációt kaphat. Weboldalunk: https://www.vet-china.com/ Ahogy a félvezetőgyártási folyamatok folyamatosan áttörést érnek el, az iparágban egyre népszerűbbé vált a "Moore-törvény" nevű híres állítás. ...
További információ
Félvezető mintázási folyamat áramlásos maratás
admin által, 2010.09.24-én
A korai nedves maratás elősegítette a tisztítási vagy hamvasztási eljárások fejlődését. Napjainkban a plazma segítségével végzett száraz maratás vált a maratás általánossá. A plazma elektronokból, kationokból és gyökökből áll. A plazmára alkalmazott energia a t legkülső elektronjait...
További információ
8 hüvelykes SiC epitaxiális kemencével és homoepitaxiális eljárással kapcsolatos kutatás - II.
admin által, 2004.09.24-én
2 Kísérleti eredmények és megbeszélés 2.1 Epitaxiális réteg vastagsága és egyenletessége Az epitaxiális réteg vastagsága, a doppingkoncentráció és az egyenletesség az epitaxiális ostyák minőségének megítélésének egyik fő mutatója. A pontosan szabályozható vastagság, a doppingolás...
További információ
8 hüvelykes SiC epitaxiális kemencével és homoepitaxiális eljárással kapcsolatos kutatás - II
admin által, 2004.09.24-én
Jelenleg a SiC iparág 150 mm-ről (6 hüvelyk) 200 mm-re (8 hüvelyk) áll át. Az iparág nagyméretű, kiváló minőségű SiC homoepitaxiális ostyák iránti sürgető keresletének kielégítése érdekében sikeresen előállítottak 150 mm-es és 200 mm-es 4H-SiC homoepitaxiális ostyákat...
További információ
Porózus szén pórusszerkezet optimalizálása -Ⅱ
admin által, 2027.08.24-én
Üdvözöljük weboldalunkon, ahol termékinformációkat és konzultációt talál. Weboldalunk: https://www.vet-china.com/ Fizikai és kémiai aktiválási módszer A fizikai és kémiai aktiválási módszer porózus anyagok előállításának a fenti két hatóanyag kombinálásával történő eljárását jelenti...
További információ
Porózus szén pórusszerkezet optimalizálása-Ⅰ
admin által, 2027.08.24-én
Üdvözöljük weboldalunkon, ahol termékinformációkat és konzultációt kaphat. Weboldalunk: https://www.vet-china.com/ Ez a tanulmány elemzi a jelenlegi aktív szén piacot, mélyrehatóan elemzi az aktív szén alapanyagait, bemutatja a pórusszerkezetet...
További információ
Félvezető folyamatábra-II
admin által, 2023.08.24-én
Üdvözöljük weboldalunkon, ahol termékinformációkat és konzultációt kérhet. Weboldalunk: https://www.vet-china.com/ Poli és SiO2 maratása: Ezután a felesleges polit és SiO2-t maratják, azaz eltávolítják. Ekkor irányított maratást alkalmaznak. A besorolás során...
További információ
Félvezető folyamatábra
admin által, 2023.08.24-én
Megértheted akkor is, ha soha nem tanultál fizikát vagy matematikát, de egy kicsit túl egyszerű és kezdőknek való. Ha többet szeretnél megtudni a CMOS-ról, el kell olvasnod a cikk tartalmát, mert csak a folyamat megértése után (azaz...)
További információ