Danasîna Berhemê
Pargîdaniya me karûbarên pêvajoya pêçandina SiC bi rêbaza CVD li ser rûyê grafît, seramîk û materyalên din peyda dike, da ku gazên taybetî yên ku karbon û silîkonê tê de hene di germahiya bilind de reaksiyon bikin da ku molekulên SiC yên paqijiya bilind bi dest bixin, molekulên ku li ser rûyê materyalên pêçandî têne razandin, û qata parastinê ya SIC ava dikin.
Taybetmendiyên sereke:
1. Berxwedana oksîdasyonê ya germahiya bilind:
Berxwedana oksîdasyonê hîn jî pir baş e dema ku germahî bigihêje 1600 C.
2. Paqijiya bilind: bi danîna buxara kîmyewî di bin şert û mercên klorînê yên germahiya bilind de tê çêkirin.
3. Berxwedana li hember erozyonê: hişkbûna bilind, rûbera kompakt, perçeyên zirav.
4. Berxwedana li hember korozyonê: asîd, alkalî, xwê û reagentên organîk.
Taybetmendiyên sereke yên pêçandina CVD-SIC
| Taybetmendiyên SiC-CVD | ||
| Pêkhateya Krîstal | Qonaxa β ya FCC | |
| Tîrbûn | g/cm³ | 3.21 |
| Hişkbûn | Hişkbûna Vickers | 2500 |
| Mezinahiya Genim | μm | 2~10 |
| Paqijiya Kîmyewî | % | 99.99995 |
| Kapasîteya Germê | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Germahiya sublîmasyonê | ℃ | 2700 |
| Hêza Felexural | MPa (RT 4-xal) | 415 |
| Modulusa Young | Gpa (bendbûna 4pt, 1300℃) | 430 |
| Berfirehbûna Germahî (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Gehînerîya germî | (W/mK) | 300 |
-
Meclîsa Elektrodê ya Plaqeya Bipolar a Mea ya Sotemeniyê ...
-
Jeneratora valahiya frena elektrîkê bi pomp û tankê
-
Xaça karbîda silîkonê ya berxwedêr a germahiya bilind ...
-
Hucreya Sotemeniyê ya Hîdrojenê ya Portable 25v 2000w Hîdrojen ...
-
Kaxeza grafîtê ya pîrolîtîk a nerm a xwerû berfireh dike ...
-
Şaneya Sotemeniyê ya Hîdrojenê ya Metalê 1000w Şaneya Sotemeniyê ya Uav Pemfc