PSS ою тасушысы

Қысқаша сипаттама:


  • Шығу орны:Қытай
  • Кристалдық құрылым:FCCβ фазасы
  • Тығыздық:3,21 г/см³;
  • Қаттылық:2500 Виккерс;
  • Дән мөлшері:2~10 мкм;
  • Химиялық тазалық:99.99995%;
  • Жылу сыйымдылығы:640 Дж·кг-1·К-1;
  • Сублимация температурасы:2700℃;
  • Фелексуральды күш:415 МПа (RT 4-нүктелік);
  • Янг модулі:430 ГПа (4pt иілу, 1300℃);
  • Жылулық кеңею (ТКК):4.5 10-6K-1;
  • Жылу өткізгіштік:300 (W/MK);
  • Өнімнің егжей-тегжейі

    Өнім тегтері

    Өнім сипаттамасы

    Біздің компания графит, керамика және басқа материалдардың бетінде CVD әдісімен SiC жабындысын өңдеу қызметтерін ұсынады, осылайша көміртегі мен кремнийді қамтитын арнайы газдар жоғары температурада әрекеттесіп, жоғары тазалықтағы SiC молекулаларын, яғни жабынды материалдардың бетінде жиналатын молекулаларды, SIC қорғаныс қабатын түзеді.

    Негізгі ерекшеліктері:

    1. Жоғары температурадағы тотығуға төзімділік:

    Температура 1600°C дейін жеткенде де тотығуға төзімділік өте жақсы болады.

    2. Жоғары тазалық: жоғары температуралы хлорлау жағдайында химиялық бумен тұндыру арқылы жасалған.

    3. Эрозияға төзімділік: жоғары қаттылық, тығыз беті, ұсақ бөлшектер.

    4. Коррозияға төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.

    CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары

    SiC-CVD қасиеттері

    Кристалдық құрылым FCC β фазасы
    Тығыздық г/см³ 3.21
    Қаттылық Виккерс қаттылығы 2500
    Дән мөлшері мкм 2~10
    Химиялық тазалық % 99.99995
    Жылу сыйымдылығы J·kg-1 ·K-1 640
    Сублимация температурасы 2700
    Фексуральды күш МПа (RT 4-нүктелік) 415
    Янг модулі Gpa (4pt иілу, 1300℃) 430
    Жылулық кеңею (ТКК) 10-6K-1 4.5
    Жылу өткізгіштігі (Вт/мК) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Алдыңғы:
  • Келесі:

  • WhatsApp арқылы онлайн чат!