PSS ætsebærer

Kort beskrivelse:

Oprindelsessted:Kina

Krystalstruktur:FCCβ-fase

Densitet:3,21 g/cm²;

Hårdhed:2500 Vickers;

Kornstørrelse:2~10 μm;

Kemisk renhed:99,99995%;

Varmekapacitet:640J·kg-1·K-1;

Sublimeringstemperatur:2700 ℃;

Felexural styrke:415 MPa (RT 4-punkts);

Youngs modul:430 Gpa (4pt bøjning, 1300℃);

Termisk ekspansion (CTE):4,5 10-6K-1;

Termisk ledningsevne:300 (W/MK);

Send e-mail til os Download som PDF

Produktdetaljer

Produktmærker

Produktbeskrivelse

Vores virksomhed tilbyder SiC-belægningsprocesser ved hjælp af CVD-metoden på overfladen af grafit, keramik og andre materialer, hvor specielle gasser, der indeholder kulstof og silicium, reagerer ved høj temperatur for at opnå SiC-molekyler med høj renhed. Molekylerne aflejres på overfladen af de belagte materialer og danner et beskyttende SIC-lag.

Hovedtræk:

1. Modstandsdygtighed over for høj temperaturoxidation:

Oxidationsbestandigheden er stadig meget god, selv ved temperaturer på op til 1600 C.

2. Høj renhed: Fremstillet ved kemisk dampaflejring under højtemperaturklorering.

3. Erosionsbestandighed: høj hårdhed, kompakt overflade, fine partikler.

4. Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspecifikationer for CVD-SIC-belægning

SiC-CVD-egenskaber
Krystalstruktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers-hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99,99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Felexural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300℃)	430
Termisk ekspansion (CTE)	10-6K-1	4,5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300