Panjelasan Produk
Perusahaan kami nyayogikeun jasa prosés palapis SiC ku metode CVD dina permukaan grafit, keramik sareng bahan sanésna, supados gas khusus anu ngandung karbon sareng silikon réaksi dina suhu anu luhur pikeun kéngingkeun molekul SiC anu murni, molekul anu diendapkeun dina permukaan bahan anu dilapis, ngabentuk lapisan pelindung SIC.
Fitur utama:
1. Résistansi oksidasi suhu luhur:
Résistansi oksidasi masih saé pisan nalika suhu naék kana 1600 C.
2. Kamurnian luhur: dijieun ku déposisi uap kimia dina kaayaan klorinasi suhu luhur.
3. Résistansi érosi: karasana luhur, permukaanana kompak, partikelna lemes.
4. Résistansi korosi: réagen asam, alkali, uyah sareng organik.
Spésifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
| Sipat SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fase β FCC | |
| Kapadetan | g/cm³ | 3.21 |
| Karasa | Karasa Vickers | 2500 |
| Ukuran Gandum | μm | 2~10 |
| Kamurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kakuatan Feleksural | MPa (RT 4-titik) | 415 |
| Modulus Young | IPK (tikungan 4pt, 1300℃) | 430 |
| Ékspansi Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (L/mK) | 300 |
