Носитель травления PSS

Краткое описание:

Место происхождения:Китай

Кристаллическая структура:Фаза FCCβ

Плотность :3,21 г/см3;

Твёрдость:2500 Виккерс;

Размер зерна:2~10мкм;

Химическая чистота:99,99995%;

Теплоемкость:640Дж·кг-1·К-1;

Температура сублимации:2700℃;

Сила сгибания:415 МПа (RT 4-Point);

Модуль Юнга:430 ГПа (изгиб 4 точки, 1300℃);

Тепловое расширение (КТР):4,5 10-6К-1;

Теплопроводность:300 (Вт/МК);

Напишите нам письмо Загрузить как PDF

Подробности продукта

Теги продукта

Описание продукта

Наша компания предоставляет услуги по нанесению покрытий SiC методом химического осаждения из газовой фазы на поверхность графита, керамики и других материалов, при котором специальные газы, содержащие углерод и кремний, реагируют при высокой температуре, в результате чего получаются молекулы SiC высокой чистоты, которые осаждаются на поверхности покрываемых материалов, образуя защитный слой SIC.

Основные характеристики:

1. Стойкость к высокотемпературному окислению:

стойкость к окислению остается очень хорошей даже при температуре 1600 °C.

2. Высокая чистота: производится методом химического осаждения из паровой фазы в условиях высокотемпературного хлорирования.

3. Эрозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность, мелкие частицы.

4. Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.

Основные характеристики покрытия CVD-SIC

Свойства SiC-CVD
Кристаллическая структура	FCC β фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твёрдость	Твёрдость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Сила сгибания	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль Юнга	ГПа (изгиб 4 точки, 1300℃)	430
Тепловое расширение (КТР)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300