PSS Травильный носитель

Краткое описание:


  • Место происхождения:Китай
  • Кристаллическая структура:Фаза FCCβ
  • Плотность :3,21 г/см;
  • Твердость:2500 Виккерс;
  • Размер зерна:2–10 мкм;
  • Химическая чистота:99,99995%;
  • Теплоемкость:640 Дж·кг⁻¹·К⁻¹;
  • Температура сублимации:2700℃;
  • Сила сгибания:415 МПа (RT 4-точечный метод);
  • Модуль Юнга:430 ГПа (четырехточечный изгиб, 1300℃);
  • Коэффициент теплового расширения (КТР):4.5 10-6K-1;
  • Теплопроводность:300 (Вт/МК);
  • Подробная информация о товаре

    Метки товаров

    Описание продукта

    Наша компания предоставляет услуги по нанесению SiC-покрытий методом CVD на поверхность графита, керамики и других материалов. В результате реакции специальных газов, содержащих углерод и кремний, при высокой температуре образуются молекулы SiC высокой чистоты, которые затем осаждаются на поверхности покрываемых материалов, формируя защитный слой SiC.

    Основные характеристики:

    1. Высокая термостойкость к окислению:

    Стойкость к окислению остается очень хорошей даже при температуре 1600 °C.

    2. Высокая чистота: получено методом химического осаждения из газовой фазы в условиях высокотемпературного хлорирования.

    3. Эрозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность, мелкий размер частиц.

    4. Коррозионная стойкость: к кислотам, щелочам, солям и органическим реагентам.

    Основные характеристики CVD-SIC покрытия

    Свойства SiC-CVD

    Кристаллическая структура β-фаза ГЦК
    Плотность г/см³ 3.21
    Твердость твердость по Виккерсу 2500
    Размер зерна мкм 2~10
    Химическая чистота % 99.99995
    Теплоемкость Дж·кг⁻¹·К⁻¹ 640
    Температура сублимации 2700
    Сила изгиба МПа (RT 4-точечный метод) 415
    Модуль Юнга ГПа (4-точечный изгиб, 1300℃) 430
    Коэффициент теплового расширения (КТР) 10-6K-1 4.5
    Теплопроводность (Вт/мК) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат в WhatsApp!