Носій травлення PSS

PSS Etch Carrier – зображення, що відображається

Короткий опис:

Місце походження:Китай

Кристалічна структура:Фаза FCCβ

Щільність:3,21 г/см;

Твердість:2500 Віккерсів;

Розмір зерна:2~10 мкм;

Хімічна чистота:99,99995%;

Теплоємність:640 Дж·кг-1·К-1;

Температура сублімації:2700℃;

Сила згинання:415 МПа (RT 4-точковий);

Модуль Юнга:430 ГПа (4-точковий вигин, 1300℃);

Теплове розширення (КТР):4,5 10⁻⁶ тис./1;

Теплопровідність:300 (Вт/МК);

Надіслати нам електронного листа Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги продукту

Опис продукту

Наша компанія надає послуги з нанесення покриття SiC методом CVD на поверхню графіту, кераміки та інших матеріалів. Завдяки цьому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, реагують при високій температурі, утворюючи молекули SiC високої чистоти, які осідають на поверхні покритих матеріалів, утворюючи захисний шар SIC.

Основні характеристики:

1. Стійкість до окислення за високих температур:

Стійкість до окислення залишається дуже хорошою, навіть коли температура досягає 1600°C.

2. Висока чистота: виготовлена методом хімічного осадження з парової фази за умов високотемпературного хлорування.

3. Стійкість до ерозії: висока твердість, щільна поверхня, дрібні частинки.

4. Корозійна стійкість: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.

Основні характеристики покриття CVD-SIC

Властивості SiC-CVD
Кристалічна структура	β-фаза ГЦК
Щільність	г/см³	3.21
Твердість	Твердість за Віккерсом	2500
Розмір зерна	мкм	2~10
Хімічна чистота	%	99.99995
Теплоємність	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублімації	℃	2700
Фелексуральна міцність	МПа (RT 4-точковий)	415
Модуль Юнга	Gpa (4-точковий вигин, 1300℃)	430
Теплове розширення (КТР)	10-6K-1	4.5
Теплопровідність	(Вт/мК)	300