उत्पाद वर्णन
हमारी कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर सीवीडी विधि द्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाएं प्रदान करती है, जिससे कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया करके उच्च शुद्धता वाले SiC अणु प्राप्त करती हैं, जो लेपित सामग्रियों की सतह पर जमा होकर SiC सुरक्षात्मक परत बनाते हैं।
मुख्य विशेषताएं:
1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध:
1600 डिग्री सेल्सियस तक के उच्च तापमान पर भी इसकी ऑक्सीकरण प्रतिरोधक क्षमता बहुत अच्छी रहती है।
2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण की स्थिति में रासायनिक वाष्प निक्षेपण द्वारा निर्मित।
3. क्षरण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।
4. संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोध।
सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ
| SiC-CVD गुणधर्म | ||
| क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण | |
| घनत्व | ग्राम/सेमी³ | 3.21 |
| कठोरता | विकर्स कठोरता | 2500 |
| अनाज आकार | माइक्रोन | 2~10 |
| रासायनिक शुद्धता | % | 99.99995 |
| ताप की गुंजाइश | जे·किग्रा-1 ·के-1 | 640 |
| ऊर्ध्वपातन तापमान | ℃ | 2700 |
| फ्लेक्सुरल स्ट्रेंथ | एमपीए (आरटी 4-पॉइंट) | 415 |
| यंग का मापांक | जीपीए (4 प्वाइंट बेंड, 1300℃) | 430 |
| तापीय विस्तार (सीटीई) | 10-6K -1 | 4.5 |
| ऊष्मीय चालकता | (W/mK) | 300 |
