PSS-Ätzträger

Kurze Beschreibung:

Herkunftsort:China

Kristallstruktur:FCCβ-Phase

Dichte :3,21 g/cm;

Härte:2500 Vickers;

Körnung:2~10μm;

Chemische Reinheit:99,99995 %;

Wärmekapazität:640 J·kg−1·K−1;

Sublimationstemperatur:2700 °C;

Biegefestigkeit:415 MPa (RT 4-Punkt);

Elastizitätsmodul:430 Gpa (4pt-Biegung, 1300 °C);

Wärmeausdehnung (CTE):4,5 10-6K-1;

Wärmeleitfähigkeit:300 (W/MK);

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Produktdetail

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Produktbeschreibung

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hohen Temperaturen reagieren und hochreine SiC-Moleküle entstehen, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und eine SIC-Schutzschicht bilden.

Haupteigenschaften:

1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:

die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2 bis 10
Chemische Reinheit	%	99,99995
Wärmekapazität	J·kg−1 ·K−1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Flexurale Festigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt-Biegung, 1300℃)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300