Önümiň düşündirişi
Kompaniýamyz grafit, keramika we beýleki materiallaryň ýüzünde CVD usuly bilen SiC örtük proses hyzmatlaryny hödürleýär, şonuň üçin uglerod we kremniý saklaýan ýörite gazlar ýokary temperaturada reaksiýa girip, ýokary arassalykdaky SiC molekulalaryny, ýagny örtülen materiallaryň ýüzünde ýerleşdirilen molekulalary, SIC gorag gatlagyny emele getirýär.
Esasy aýratynlyklar:
1. Ýokary temperatura oksidlenme garşylygy:
temperatura 1600 C çenli ýokary bolanda hem oksidlenme garşylygy örän gowy bolýar.
2. Ýokary arassalyk: ýokary temperatura hlorlamak şertinde himiki bug çökündisi arkaly ýasalýar.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýüz, ownuk bölejikler.
4. Korroziýa garşylygy: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary
| SiC-CVD aýratynlyklary | ||
| Kristal gurluşy | FCC β fazasy | |
| Dykyzlyk | g/sm³ | 3.21 |
| Gatylyk | Wickers gatylygy | 2500 |
| Däne ölçegi | μm | 2~10 |
| Himiki arassalyk | % | 99.99995 |
| Yssylyk kuwwaty | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
| Fleksural güýç | MPa (RT 4-nokat) | 415 |
| Ýaşyň moduly | Gpa (4pt bükülme, 1300℃) | 430 |
| Termal giňelme (TGG) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Ýylylyk geçirijiligi | (W/mK) | 300 |
