PSS Etch Carrier

Imagine presentata di u trasportatore di incisione PSS

Descrizzione corta:

Locu d'origine:Cina

Struttura cristallina:Fase FCCβ

Densità:3,21 g/cm³;

Durezza:2500 Vickers;

Grana:2~10μm;

Purità chimica:99,99995%;

Capacità termica:640J·kg-1·K-1;

Temperatura di sublimazione:2700℃;

Forza flessurale:415 Mpa (RT 4 punti);

Modulu di Young:430 Gpa (curvatura 4pt, 1300℃);

Espansione Termica (CTE):4,5 10-6K-1;

Cunduttività termica:300 (W/MK);

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Dettagli di u produttu

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Descrizzione di u produttu

A nostra sucietà furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, in modu chì gasi speciali chì cuntenenu carbone è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molecule di SiC di alta purezza, molecule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu un stratu protettivu SIC.

Caratteristiche principali:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

A resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura ghjunghje à 1600 C.

2. Alta purezza: fatta per deposizione chimica di vapore in cundizioni di clorurazione à alta temperatura.

3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compatta, particelle fini.

4. Resistenza à a currusione: reagenti acidi, alcalini, sali è organici.

Specifiche principali di u rivestimentu CVD-SIC

Proprietà di SiC-CVD
Struttura Cristalina	Fase β di a FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Dimensione di u granu	μm	2~10
Purità chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza Flesurale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulu di Young	Gpa (curvatura 4pt, 1300℃)	430
Espansione Termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Cunduttività termica	(W/mK)	300