ഉൽപ്പന്ന വിവരണം
ഞങ്ങളുടെ കമ്പനി ഗ്രാഫൈറ്റ്, സെറാമിക്സ്, മറ്റ് വസ്തുക്കൾ എന്നിവയുടെ ഉപരിതലത്തിൽ സിവിഡി രീതി ഉപയോഗിച്ച് SiC കോട്ടിംഗ് പ്രോസസ്സ് സേവനങ്ങൾ നൽകുന്നു, അതുവഴി കാർബണും സിലിക്കണും അടങ്ങിയ പ്രത്യേക വാതകങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ പ്രതിപ്രവർത്തിച്ച് ഉയർന്ന പരിശുദ്ധിയുള്ള SiC തന്മാത്രകൾ, പൂശിയ വസ്തുക്കളുടെ ഉപരിതലത്തിൽ നിക്ഷേപിച്ചിരിക്കുന്ന തന്മാത്രകൾ, SIC സംരക്ഷണ പാളി രൂപപ്പെടുത്തുന്നു.
പ്രധാന സവിശേഷതകൾ:
1. ഉയർന്ന താപനില ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം:
താപനില 1600 C വരെ ഉയരുമ്പോൾ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം ഇപ്പോഴും വളരെ മികച്ചതാണ്.
2. ഉയർന്ന ശുദ്ധി: ഉയർന്ന താപനിലയിലുള്ള ക്ലോറിനേഷൻ അവസ്ഥയിൽ രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം വഴി നിർമ്മിക്കുന്നത്.
3. മണ്ണൊലിപ്പ് പ്രതിരോധം: ഉയർന്ന കാഠിന്യം, ഒതുക്കമുള്ള പ്രതലം, സൂക്ഷ്മ കണികകൾ.
4. നാശന പ്രതിരോധം: ആസിഡ്, ആൽക്കലി, ഉപ്പ്, ഓർഗാനിക് റിയാക്ടറുകൾ.
CVD-SIC കോട്ടിംഗിന്റെ പ്രധാന സവിശേഷതകൾ
| SiC-CVD പ്രോപ്പർട്ടികൾ | ||
| ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന | FCC β ഘട്ടം | |
| സാന്ദ്രത | ഗ്രാം/സെ.മീ ³ | 3.21 3.21 3.21 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.22 3.21 |
| കാഠിന്യം | വിക്കേഴ്സ് കാഠിന്യം | 2500 രൂപ |
| ഗ്രെയിൻ സൈസ് | μm | 2~10 |
| രാസ ശുദ്ധി | % | 99.99995 |
| താപ ശേഷി | ജ·കി.ഗ്രാം-1 ·കെ-1 | 640 - |
| സപ്ലിമേഷൻ താപനില | ℃ | 2700 പി.ആർ. |
| ഫെലെക്സറൽ ശക്തി | MPa (RT 4-പോയിന്റ്) | 415 |
| യങ്ങിന്റെ മോഡുലസ് | ജിപിഎ (4 പോയിന്റ് വളവ്, 1300℃) | 430 (430) |
| താപ വികാസം (CTE) | 10-6 കെ -1 | 4.5 प्रकाली प्रकाल� |
| താപ ചാലകത | (പ/മെട്രിക്) | 300 ഡോളർ |
-
ഫ്യുവൽ സെൽ എന്റെ ബൈപോളാർ പ്ലേറ്റ് ഇലക്ട്രോഡ് അസംബ്ലി ...
-
പമ്പും ടാങ്കും ഉള്ള ഇലക്ട്രിക് ബ്രേക്ക് വാക്വം ജനറേറ്റർ
-
ഉയർന്ന താപനിലയെ പ്രതിരോധിക്കുന്ന സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് ക്രൂ...
-
പോർട്ടബിൾ 25v ഹൈഡ്രജൻ ഫ്യൂവൽ സെൽ 2000w ഹൈഡ്രജൻ ...
-
കസ്റ്റം പൈറോലൈറ്റിക് ഫ്ലെക്സിബിൾ ഗ്രാഫൈറ്റ് പേപ്പർ വികസിപ്പിക്കുക...
-
മെറ്റൽ ഹൈഡ്രജൻ ഫ്യുവൽ സെൽ 1000w Uav Pemfc ഫ്യുവൽ സെൽ









