Naverina navadika ho kristalyseramika silikônina karbida (RSiC)diafitaovana seramika avo lentaNoho ny fanoherany tsara dia tsara ny mari-pana avo, ny fanoherana ny oksidasiona, ny fanoherana ny harafesina ary ny hamafiny avo, dia nampiasaina betsaka tamin'ny sehatra maro izy io, toy ny famokarana semiconductor, ny indostrian'ny photovoltaic, ny lafaoro amin'ny mari-pana avo ary ny fitaovana simika. Miaraka amin'ny fitomboan'ny fangatahana fitaovana avo lenta amin'ny indostria maoderina, dia mihalalina ny fikarohana sy ny fampandrosoana ny seramika karbida silikônina averina kristaly.
1. Teknolojia fanomanana nyseramika karbida silikônina nohavaozina
Teknolojia fanomanana ny recrystallizedseramika silikônina karbidaNy fomba fanaovana "powder sintering" dia ahitana fomba roa: ny "powder sintering" sy ny "etona deposition" (CVD). Anisan'izany ny fomba fanaovana "powder sintering" dia ny fanaovana "sinter" ny vovoka "silicon carbide" amin'ny mari-pana avo mba hahafahan'ny poti-javatra "silicon carbide" mamorona rafitra matevina amin'ny alàlan'ny diffusion sy recrystallization eo amin'ny voamaina. Ny fomba fanaovana "etona deposition" dia ny fametrahana "silicon carbide" eo amin'ny velaran'ny "substrate" amin'ny alàlan'ny fihetsika simika "etona deposition" amin'ny mari-pana avo, ka mamorona sarimihetsika "silicon carbide" madio avo lenta na singa ara-drafitra. Ireo teknolojia roa ireo dia manana ny tombony ananany. Ny fomba fanaovana "powder sintering" dia mety amin'ny famokarana betsaka ary mora vidy, raha ny fomba fanaovana "etona deposition" kosa dia afaka manome fahadiovana ambony kokoa sy rafitra matevina kokoa, ary ampiasaina betsaka amin'ny sehatry ny semiconductor.
2. Toetran'ny akoraseramika karbida silikônina nohavaozina
Ny toetra mampiavaka ny seramika karbida silikônina voarendrika dia ny fahombiazany tsara amin'ny tontolo iainana mafana be. Ny teboka fandrendrehan'ity fitaovana ity dia mahatratra 2700°C, ary manana tanjaka mekanika tsara amin'ny mari-pana avo. Ankoatra izany, ny karbida silikônina voarendrika dia manana fanoherana tsara amin'ny oksidasiona sy ny harafesina, ary afaka mijanona ho marin-toerana amin'ny tontolo simika tafahoatra. Noho izany, ny seramika RSiC dia nampiasaina betsaka tamin'ny sehatry ny lafaoro mafana be, fitaovana tsy mety levona amin'ny mari-pana avo, ary fitaovana simika.
Ankoatra izany, ny karbida silikônina voaverina kristaly dia manana conductivity mafana avo lenta ary afaka mitondra hafanana tsara, izay mahatonga azy io ho manan-danja amin'ny fampiharana azy.Reaktora MOCVDary fitaovana fitsaboana hafanana amin'ny fanamboarana wafer semiconductor. Ny conductivity mafana avo lenta sy ny fanoherana ny dona mafana dia miantoka ny fiasan'ny fitaovana azo itokisana amin'ny toe-javatra tafahoatra.
3. Sehatra fampiharana ny seramika karbida silikônina nohavaozina
Fanamboarana semiconductor: Ao amin'ny indostrian'ny semiconductor, ny seramika karbida silikônina averina kristaly dia ampiasaina hanamboarana substrates sy fanohanana ao amin'ny reactors MOCVD. Noho ny fanoherany ny mari-pana avo, ny fanoherana ny harafesina ary ny conductivity mafana avo lenta, ny fitaovana RSiC dia afaka mitazona fahombiazana marin-toerana amin'ny tontolo iainana simika sarotra, miantoka ny kalitao sy ny vokatra azo avy amin'ny wafers semiconductor.
Indostrian'ny fotovoltaika: Ao amin'ny indostrian'ny fotovoltaika, ny RSiC dia ampiasaina hanamboarana rafitra fanohanana ny fitaovana fitomboan'ny kristaly. Koa satria mila atao amin'ny mari-pana avo ny fitomboan'ny kristaly mandritra ny fizotran'ny famokarana sela fotovoltaika, ny fanoherana ny hafanan'ny karbida silikônina averina kristaly dia miantoka ny fiasan'ny fitaovana maharitra sy marin-toerana.
Fatana fandoroana hafanana avo: Ny seramika RSiC dia ampiasaina betsaka amin'ny fatana fandoroana hafanana avo, toy ny sosona anatiny sy ny singa ao amin'ny fatana fandoroana banga, fatana fandrendrehana ary fitaovana hafa. Ny fanoherany ny dona mafana sy ny oksidasiona dia mahatonga azy io ho iray amin'ireo fitaovana tsy azo soloina amin'ny indostrian'ny hafanana avo.
4. Fikarohana momba ny seramika karbida silikônina nohavaozina
Noho ny fitomboan'ny fangatahana fitaovana avo lenta, dia niha-mazava tsikelikely ny fikarohana momba ny seramika karbida silikônina nohavaozina. Hifantoka amin'ireto lafiny manaraka ireto ny fikarohana amin'ny ho avy:
Fanatsarana ny fahadiovan'ny fitaovana: Mba hamenoana ny fepetra takiana amin'ny fahadiovana ambony kokoa eo amin'ny sehatry ny semiconductor sy ny photovoltaic, dia mikaroka fomba hanatsarana ny fahadiovan'ny RSiC ireo mpikaroka amin'ny alàlan'ny fanatsarana ny teknolojia fametrahana etona na ny fampidirana akora manta vaovao, ka mampitombo ny lanjan'ny fampiharana azy amin'ireo sehatry ny teknolojia avo lenta ireo.
Fanatsarana ny rafitra bitika: Amin'ny alàlan'ny fanaraha-maso ny fepetra sintering sy ny fizarana ny poti-vovoka, dia azo hatsaraina bebe kokoa ny rafitra bitika amin'ny karbida silikônina averina kristaly, ka manatsara ny toetrany mekanika sy ny fanoherana ny dona mafana.
Akora mitambatra azo ampiasaina: Mba hifanaraka amin'ny tontolo fampiasana sarotra kokoa, dia miezaka mampifangaro ny RSiC amin'ny akora hafa ireo mpikaroka mba hampivelatra akora mitambatra manana toetra maro samihafa, toy ny akora mitambatra mifototra amin'ny silicon carbide averina kristaly izay manana fanoherana ny fikikisana sy ny fitarihana herinaratra ambony kokoa.
5. Famaranana
Amin'ny maha-akora avo lenta azy, ny seramika karbida silikônina voaverina kristaly dia nampiasaina betsaka tamin'ny sehatra maro noho ny toetrany tsara dia tsara amin'ny mari-pana avo, ny fanoherana ny oksidasiona ary ny fanoherana ny harafesina. Ny fikarohana amin'ny ho avy dia hifantoka amin'ny fanatsarana ny fahadiovan'ny akora, ny fanatsarana ny rafitra bitika ary ny fampivoarana ireo akora miasa mitambatra mba hamenoana ny filàna indostrialy mitombo. Amin'ny alàlan'ireo fanavaozana ara-teknolojia ireo, ny seramika karbida silikônina voaverina kristaly dia antenaina fa handray anjara bebe kokoa amin'ny sehatra teknolojia avo lenta kokoa.
Fotoana fandefasana: 24 Oktobra 2024