ထုတ်ကုန်အချက်အလက်နှင့် တိုင်ပင်ဆွေးနွေးမှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝဘ်ဆိုက်သို့ ကြိုဆိုပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝဘ်ဆိုက်-https://www.vet-china.com/
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ်များသည် ဆက်လက်တိုးတက်မှုများ ရှိနေသည်နှင့်အမျှ "Moore's Law" ဟုခေါ်သော ကျော်ကြားသော ဖော်ပြချက်တစ်ခုသည် စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် လည်ပတ်နေပါသည်။ ၎င်းကို ၁၉၆၅ ခုနှစ်တွင် Intel ၏ တည်ထောင်သူတစ်ဦးဖြစ်သည့် Gordon Moore မှ အဆိုပြုခဲ့သည်။ ၎င်း၏ အဓိကအကြောင်းအရာမှာ- ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းတွင် ထည့်သွင်းနိုင်သော ထရန်စစ္စတာအရေအတွက်သည် ၁၈ လမှ ၂၄ လတိုင်း ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် နှစ်ဆတိုးလာမည်ဖြစ်သည်။ ဤဥပဒေသည် စက်မှုလုပ်ငန်း၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် ခန့်မှန်းခြင်းသာမက တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက် မောင်းနှင်အားတစ်ခုလည်းဖြစ်သည် - အရာအားလုံးသည် အရွယ်အစားသေးငယ်ပြီး တည်ငြိမ်သောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ထရန်စစ္စတာများပြုလုပ်ရန်ဖြစ်သည်။ ၁၉၅၀ ပြည့်လွန်နှစ်များမှ ယနေ့အထိ နှစ်ပေါင်း ၇၀ ခန့်တွင် BJT၊ MOSFET၊ CMOS၊ DMOS နှင့် hybrid BiCMOS နှင့် BCD လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာများကို စုစုပေါင်း တီထွင်ထုတ်လုပ်ခဲ့သည်။
၁။ ဘီဂျေတီ
Bipolar junction transistor (BJT) ကို triode အဖြစ် လူသိများသည်။ transistor ရှိ charge flow သည် အဓိကအားဖြင့် PN junction တွင် carrier များ၏ diffusion နှင့် drift motion ကြောင့်ဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် electron နှင့် holes နှစ်မျိုးလုံး၏ flow ပါဝင်သောကြောင့် bipolar device ဟုခေါ်သည်။
၎င်း၏ မွေးဖွားလာပုံသမိုင်းကို ပြန်ကြည့်လျှင်။ vacuum triodes များကို solid amplifiers များဖြင့် အစားထိုးရန် အကြံအစည်ကြောင့် Shockley သည် ၁၉၄၅ ခုနှစ် နွေရာသီတွင် semiconductors များအကြောင်း အခြေခံသုတေသနပြုလုပ်ရန် အဆိုပြုခဲ့သည်။ ၁၉၄၅ ခုနှစ် ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင် Bell Labs သည် Shockley ဦးဆောင်သော solid-state ရူပဗေဒ သုတေသနအဖွဲ့ကို တည်ထောင်ခဲ့သည်။ ဤအဖွဲ့တွင် ရူပဗေဒပညာရှင်များသာမက သီအိုရီရူပဗေဒပညာရှင် Bardeen နှင့် စမ်းသပ်ရူပဗေဒပညာရှင် Brattain အပါအဝင် ဆားကစ်အင်ဂျင်နီယာများနှင့် ဓာတုဗေဒပညာရှင်များလည်း ပါဝင်သည်။ ၁၉၄၇ ခုနှစ် ဒီဇင်ဘာလတွင် နောက်ပိုင်းမျိုးဆက်များက မှတ်တိုင်တစ်ခုအဖြစ် သတ်မှတ်ခံခဲ့ရသော အဖြစ်အပျက်တစ်ခုသည် အလွန်ထူးချွန်စွာ ဖြစ်ပျက်ခဲ့သည် - Bardeen နှင့် Brattain တို့သည် current amplification ပါရှိသော ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး germanium point-contact transistor ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်ခဲ့ကြသည်။
Bardeen နှင့် Brattain တို့၏ ပထမဆုံး point-contact transistor
ထို့နောက် မကြာမီတွင် Shockley သည် ၁၉၄၈ ခုနှစ်တွင် bipolar junction transistor ကို တီထွင်ခဲ့သည်။ သူသည် transistor ကို pn junction နှစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်ဟု အကြံပြုခဲ့ပြီး တစ်ခုမှာ forward biased ဖြစ်ပြီး နောက်တစ်ခုမှာ reverse biased ဖြစ်ပြီး ၁၉၄၈ ခုနှစ် ဇွန်လတွင် မူပိုင်ခွင့်ရရှိခဲ့သည်။ ၁၉၄၉ ခုနှစ်တွင် သူသည် junction transistor ၏ လုပ်ဆောင်ချက်ဆိုင်ရာ အသေးစိတ်သီအိုရီကို ထုတ်ဝေခဲ့သည်။ နှစ်နှစ်ကျော်အကြာတွင် Bell Labs ရှိ သိပ္ပံပညာရှင်များနှင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် junction transistor များကို အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်ရန် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုကို တီထွင်ခဲ့ကြသည် (၁၉၅၁ ခုနှစ်တွင် မှတ်တိုင်တစ်ခု စိုက်ထူနိုင်ခဲ့သည်)၊ အီလက်ထရွန်းနစ်နည်းပညာ၏ ခေတ်သစ်တစ်ခုကို ဖွင့်လှစ်ပေးခဲ့သည်။ transistor များ တီထွင်မှုတွင် ၎င်းတို့၏ ပံ့ပိုးကူညီမှုများကို အသိအမှတ်ပြုသည့်အနေဖြင့် Shockley၊ Bardeen နှင့် Brattain တို့သည် ၁၉၅၆ ခုနှစ် ရူပဗေဒဆိုင်ရာ နိုဘယ်ဆုကို ပူးတွဲရရှိခဲ့သည်။
NPN bipolar junction transistor ၏ ရိုးရှင်းသောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာပုံ
bipolar junction transistor များ၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ပတ်သက်၍ အသုံးများသော BJT များမှာ NPN နှင့် PNP တို့ဖြစ်သည်။ အသေးစိတ်အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံကို အောက်ပါပုံတွင်ပြထားသည်။ emitter နှင့်ကိုက်ညီသော မသန့်စင်သော semiconductor ဒေသသည် emitter ဒေသဖြစ်ပြီး doping ပါဝင်မှုမြင့်မားသည်။ base နှင့်ကိုက်ညီသော မသန့်စင်သော semiconductor ဒေသသည် base ဒေသဖြစ်ပြီး အကျယ်အလွန်ပါးလွှာပြီး doping ပါဝင်မှုအလွန်နည်းသည်။ collector နှင့်ကိုက်ညီသော မသန့်စင်သော semiconductor ဒေသသည် collector ဒေသဖြစ်ပြီး ဧရိယာကျယ်ဝန်းပြီး doping ပါဝင်မှုအလွန်နည်းသည်။
BJT နည်းပညာ၏ အားသာချက်များမှာ မြင့်မားသော တုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်း၊ မြင့်မားသော transconductance (input voltage ပြောင်းလဲမှုများသည် output current ပြောင်းလဲမှုကြီးများနှင့် ကိုက်ညီသည်)၊ ဆူညံသံနည်းခြင်း၊ analog accuracy မြင့်မားခြင်းနှင့် current မောင်းနှင်နိုင်စွမ်းအားကောင်းခြင်းတို့ဖြစ်သည်။ အားနည်းချက်များမှာ ပေါင်းစပ်မှုနည်းပါးခြင်း (vertical depth ကို lateral size ဖြင့် လျှော့ချ၍မရပါ) နှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှု မြင့်မားခြင်းတို့ဖြစ်သည်။
၂။ MOS
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Metal Oxide Semiconductor FET) ဆိုသည်မှာ သတ္တုအလွှာ (M-သတ္တုအလူမီနီယမ်) ၏ ဂိတ်နှင့် အောက်ဆိုဒ်အလွှာ (O-လျှပ်ကာအလွှာ SiO2) မှတစ်ဆင့် အရင်းအမြစ်သို့ ဗို့အားသက်ရောက်စေခြင်းဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း (S) လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်း၏ ခလုတ်ကို ထိန်းချုပ်သည့် လယ်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု ထရန်စစ္စတာတစ်ခုဖြစ်ပြီး လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ထုတ်ပေးပါသည်။ ဂိတ်နှင့် အရင်းအမြစ်၊ ဂိတ်နှင့် ရေဆင်းတို့ကို SiO2 လျှပ်ကာအလွှာဖြင့် ခွဲထုတ်ထားသောကြောင့် MOSFET ကို လျှပ်ကာဂိတ် လယ်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု ထရန်စစ္စတာဟုလည်း ခေါ်ဆိုပါသည်။ ၁၉၆၂ ခုနှစ်တွင် Bell Labs မှ အောင်မြင်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို တရားဝင်ကြေငြာခဲ့ပြီး ၎င်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသမိုင်းတွင် အရေးအကြီးဆုံး မှတ်တိုင်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာခဲ့ပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း မှတ်ဉာဏ် ပေါ်ပေါက်လာမှုအတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာ အုတ်မြစ်ကို တိုက်ရိုက်ချပေးခဲ့သည်။
MOSFET ကို လျှပ်ကူးနိုင်သော channel အမျိုးအစားအလိုက် P channel နှင့် N channel အဖြစ် ခွဲခြားနိုင်သည်။ gate voltage amplitude အရ depletion အမျိုးအစား - gate voltage သည် သုညဖြစ်သောအခါ drain နှင့် source အကြားတွင် လျှပ်ကူးနိုင်သော channel ရှိသည်။ enhancement အမျိုးအစား - N (P) channel devices များအတွက် gate voltage သည် သုညထက် ကြီးသောအခါတွင်သာ လျှပ်ကူးနိုင်သော channel ရှိပြီး power MOSFET သည် အဓိကအားဖြင့် N channel enhancement အမျိုးအစားဖြစ်သည်။
MOS နှင့် triode အကြား အဓိကကွာခြားချက်များတွင် အောက်ပါအချက်များ ပါဝင်သော်လည်း ၎င်းတို့နှင့်သာ ကန့်သတ်မထားပါ။
-Triodes များသည် bipolar devices များဖြစ်ပြီး၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် majority နှင့် minority carrier နှစ်မျိုးလုံးသည် conduction တွင် တစ်ပြိုင်နက်တည်းပါဝင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ MOS သည် semiconductors များတွင် majority carriers များမှတစ်ဆင့်သာ လျှပ်စစ်စီးကူးပြီး unipolar transistor လို့လည်းခေါ်ပါတယ်။
-Triodes များသည် ပါဝါသုံးစွဲမှု မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်ထားသော ကိရိယာများဖြစ်ပြီး MOSFETs များသည် ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးသော ဗို့အားကို ထိန်းချုပ်ထားသော ကိရိယာများဖြစ်သည်။
- ထရိုင်အိုဒ်များတွင် on-resistance မြင့်မားပြီး MOS ပြွန်များတွင် on-resistance နည်းပါးပြီး မီလီအိုမ်း ရာဂဏန်းအနည်းငယ်သာရှိသည်။ လက်ရှိလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများတွင် MOS ပြွန်များကို ယေဘုယျအားဖြင့် ခလုတ်များအဖြစ် အသုံးပြုကြပြီး အဓိကအားဖြင့် ထရိုင်အိုဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MOS ၏ စွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားသောကြောင့် ဖြစ်သည်။
-Triode များသည် ကုန်ကျစရိတ်အားဖြင့် အတော်လေး အကျိုးရှိပြီး၊ MOS ပြွန်များသည်လည်း အတော်လေး စျေးကြီးပါသည်။
-ယနေ့ခေတ်တွင် MOS ပြွန်များကို ထရိုင်အိုဒ်များကို အများစုအခြေအနေများတွင် အစားထိုးအသုံးပြုကြသည်။ ပါဝါနည်းသော သို့မဟုတ် ပါဝါအာရုံခံနိုင်စွမ်းမရှိသော အခြေအနေအချို့တွင်သာ ဈေးနှုန်းအားသာချက်ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစား၍ ထရိုင်အိုဒ်များကို အသုံးပြုပါမည်။
၃။ CMOS
ဖြည့်စွက်သတ္တုအောက်ဆိုဒ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း- CMOS နည်းပညာသည် အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများနှင့် ယုတ္တိဗေဒ ဆားကစ်များ တည်ဆောက်ရန်အတွက် ဖြည့်စွက် p-type နှင့် n-type သတ္တုအောက်ဆိုဒ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထရန်စစ္စတာ (MOSFETs) များကို အသုံးပြုသည်။ အောက်ပါပုံသည် "1→0" သို့မဟုတ် "0→1" ပြောင်းလဲခြင်းအတွက် အသုံးပြုသည့် အသုံးများသော CMOS အင်ဗာတာကို ပြသထားသည်။
အောက်ပါပုံသည် ပုံမှန် CMOS ဖြတ်ပိုင်းပုံဖြစ်သည်။ ဘယ်ဘက်ခြမ်းသည် NMS ဖြစ်ပြီး ညာဘက်ခြမ်းသည် PMOS ဖြစ်သည်။ MOS နှစ်ခု၏ G ဝင်ရိုးများကို common gate input အဖြစ် ချိတ်ဆက်ထားပြီး D ဝင်ရိုးများကို common drain output အဖြစ် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ VDD ကို PMOS ၏ source နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး VSS ကို NMOS ၏ source နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။
၁၉၆၃ ခုနှစ်တွင် Fairchild Semiconductor မှ Wanlass နှင့် Sah တို့သည် CMOS ဆားကစ်ကို တီထွင်ခဲ့ကြသည်။ ၁၉၆၈ ခုနှစ်တွင် အမေရိကန် ရေဒီယို ကော်ပိုရေးရှင်း (RCA) သည် ပထမဆုံး CMOS integrated circuit ထုတ်ကုန်ကို တီထွင်ခဲ့ပြီး ထိုအချိန်မှစ၍ CMOS ဆားကစ်သည် ကြီးမားသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ရရှိခဲ့သည်။ ၎င်း၏ အားသာချက်များမှာ ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးခြင်းနှင့် မြင့်မားသော ပေါင်းစပ်မှု (STI/LOCOS လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပေါင်းစပ်မှုကို ပိုမိုတိုးတက်စေနိုင်သည်)၊ ၎င်း၏ အားနည်းချက်မှာ lock effect ရှိနေခြင်းဖြစ်သည် (PN junction reverse bias ကို MOS ပြွန်များအကြား သီးခြားခွဲထားရန် အသုံးပြုပြီး အနှောင့်အယှက်သည် မြှင့်တင်ထားသော loop တစ်ခုကို အလွယ်တကူ ဖွဲ့စည်းပြီး ဆားကစ်ကို လောင်ကျွမ်းစေနိုင်သည်)။
၄။ DMOS
Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor: သာမန် MOSFET စက်ပစ္စည်းများ၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဆင်တူသည်၊ ၎င်းတွင် source၊ drain၊ gate နှင့် အခြား electrodes များလည်းရှိသော်လည်း drain အဆုံး၏ breakdown voltage သည် မြင့်မားသည်။ Double diffusion လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြုသည်။
အောက်ဖော်ပြပါပုံသည် စံ N-channel DMOS ၏ ဖြတ်ပိုင်းပုံကို ပြသထားသည်။ ဤ DMOS ကိရိယာအမျိုးအစားကို MOSFET ၏ အရင်းအမြစ်ကို မြေပြင်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော low-side switching အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ထို့အပြင် P-channel DMOS လည်း ရှိသည်။ ဤ DMOS ကိရိယာအမျိုးအစားကို MOSFET ၏ အရင်းအမြစ်ကို အပေါင်းဗို့အားနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော high-side switching အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ CMOS ကဲ့သို့ပင်၊ ဖြည့်စွက် DMOS ကိရိယာများသည် ဖြည့်စွက် switching လုပ်ဆောင်ချက်များကို ပေးစွမ်းရန်အတွက် တူညီသောချစ်ပ်ပေါ်တွင် N-channel နှင့် P-channel MOSFETs များကို အသုံးပြုသည်။
ချန်နယ်၏ ဦးတည်ရာပေါ် မူတည်၍ DMOS ကို အမျိုးအစားနှစ်မျိုး ခွဲခြားနိုင်သည်၊ ၎င်းတို့မှာ vertical double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor VDMOS (Vertical Double-Diffused MOSFET) နှင့် lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor LDMOS (Lateral Double-Diffused MOSFET) တို့ဖြစ်သည်။
VDMOS စက်ပစ္စည်းများကို ဒေါင်လိုက်ချန်နယ်ဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ဘေးတိုက် DMOS စက်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၎င်းတို့တွင် ပြိုကွဲနေသောဗို့အားနှင့် လျှပ်စီးကြောင်းကို ကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်း ပိုမိုမြင့်မားသော်လည်း on-resistance မှာ အတော်လေး များပြားနေဆဲဖြစ်သည်။
LDMOS စက်ပစ္စည်းများကို ဘေးတိုက်ချန်နယ်ဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး asymmetric power MOSFET စက်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ vertical DMOS စက်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၎င်းတို့သည် on-resistance နည်းပါးပြီး switching speed များ ပိုမိုမြန်ဆန်စေသည်။
ရိုးရာ MOSFETs များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက DMOS တွင် on-capacitance မြင့်မားပြီး resistance နည်းပါးသောကြောင့် power switch များ၊ power tool များနှင့် electric vehicle drives များကဲ့သို့သော high-power electronic devices များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။
၅။ ဘိုင်စီမော့စ်
Bipolar CMOS ဆိုသည်မှာ CMOS နှင့် bipolar devices များကို တစ်ချိန်တည်းတွင် chip တစ်ခုတည်းတွင် ပေါင်းစပ်ပေးသည့် နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ အခြေခံအယူအဆမှာ CMOS devices များကို အဓိကယူနစ်ဆားကစ်အဖြစ် အသုံးပြုရန်ဖြစ်ပြီး capacitive load ကြီးများကို မောင်းနှင်ရန် လိုအပ်သည့် bipolar devices များ သို့မဟုတ် ဆားကစ်များကို ထည့်သွင်းရန်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် BiCMOS ဆားကစ်များတွင် CMOS ဆားကစ်များ၏ မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှုနှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်း၏ အားသာချက်များနှင့် BJT ဆားကစ်များ၏ မြင့်မားသောအမြန်နှုန်းနှင့် အားကောင်းသော လျှပ်စီးကြောင်းမောင်းနှင်နိုင်စွမ်း၏ အားသာချက်များရှိသည်။
STMicroelectronics ရဲ့ BiCMOS SiGe (silicon germanium) နည်းပညာဟာ RF၊ analog နဲ့ digital အစိတ်အပိုင်းတွေကို ချစ်ပ်တစ်ခုတည်းမှာ ပေါင်းစပ်ထားပြီး ပြင်ပအစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးနိုင်ပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှုကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးနိုင်ပါတယ်။
၆။ ဘီစီဒီ
Bipolar-CMOS-DMOS နည်းပညာသည် bipolar၊ CMOS နှင့် DMOS စက်ပစ္စည်းများကို ချစ်ပ်တစ်ခုတည်းတွင် ပြုလုပ်နိုင်ပြီး၊ BCD လုပ်ငန်းစဉ်ဟုခေါ်ပြီး ၎င်းကို ၁၉၈၆ ခုနှစ်တွင် STMicroelectronics (ST) မှ ပထမဆုံး အောင်မြင်စွာ တီထွင်ခဲ့သည်။
Bipolar သည် analog circuits များအတွက် သင့်လျော်ပြီး၊ CMOS သည် digital နှင့် logic circuits များအတွက် သင့်လျော်ပြီး၊ DMOS သည် power နှင့် high-voltage devices များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ BCD သည် ဤသုံးခု၏ အားသာချက်များကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။ စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်ကောင်းမွန်လာပြီးနောက်၊ BCD ကို power management၊ analog data acquisition နှင့် power actuators နယ်ပယ်များရှိ ထုတ်ကုန်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ ST ၏ တရားဝင်ဝက်ဘ်ဆိုက်အရ၊ BCD အတွက် ရင့်ကျက်သော လုပ်ငန်းစဉ်သည် 100nm ဝန်းကျင်တွင် ရှိနေသေးပြီး၊ 90nm သည် prototype ဒီဇိုင်းတွင် ရှိနေသေးပြီး၊ 40nmBCD နည်းပညာသည် ၎င်း၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ဆဲ မျိုးဆက်သစ် ထုတ်ကုန်များထဲတွင် ပါဝင်သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၁၀ ရက်