GaN-gebaseerde epitaxiale platen op SiC-substraten 4′′ tegen een gereduceerde prijs.

Korte beschrijving:

Waferdragers die worden gebruikt bij epitaxiale groeiprocessen moeten bestand zijn tegen hoge temperaturen en agressieve chemische reiniging. CoorsTek Clear Carbon™-susceptoren zijn speciaal ontworpen voor deze veeleisende toepassingen in epitaxieapparatuur. Hun constructie van met zeer zuiver siliciumcarbide (SiC) gecoat grafiet biedt superieure hittebestendigheid, gelijkmatige thermische uniformiteit voor een consistente dikte en weerstand van de epitaxiale laag, en duurzame chemische bestendigheid. De fijne SiC-kristalcoating zorgt voor een schoon en glad oppervlak, wat cruciaal is voor de hantering, aangezien onberispelijke wafers op vele punten over hun gehele oppervlak contact maken met de susceptor.


Productdetails

Productlabels

We beschikken nu over een zeer efficiënt team om vragen van klanten te beantwoorden. Ons doel is "100% klanttevredenheid door de uitmuntendheid van ons product of onze dienst, de prijs en de service van ons team" en we genieten een grote reputatie bij onze klanten. Dankzij onze vele fabrieken kunnen we een breed scala aan GaN-gebaseerde epitaxiale lagen op SiC-substraten van 4 inch tegen gereduceerde prijzen aanbieden. We verwelkomen graag zakelijke partners uit alle sectoren en hopen een vriendschappelijke en coöperatieve zakelijke relatie met u op te bouwen en een win-winsituatie te bereiken.
We beschikken nu over een zeer efficiënt team om vragen van klanten te beantwoorden. Ons doel is "100% klanttevredenheid door de uitmuntendheid van ons product of onze dienst, de prijs en de service van ons team" en we genieten een goede reputatie bij onze klanten. Dankzij onze vele fabrieken kunnen we een breed scala aan producten aanbieden.GaN-substraten en GaN-films uit ChinaWij kijken er oprecht naar uit om met klanten over de hele wereld samen te werken. Wij zijn ervan overtuigd dat wij u tevreden kunnen stellen met onze hoogwaardige producten en perfecte service. Wij nodigen u van harte uit om ons bedrijf te bezoeken en onze producten te kopen.

SiC-coating grafiet MOCVD Waferdragers

Al onze susceptoren zijn gemaakt van zeer sterk isostatisch grafiet. Profiteer van de hoge zuiverheid van ons grafiet – speciaal ontwikkeld voor veeleisende processen zoals epitaxie, kristalgroei, ionenimplantatie en plasma-etsen, en voor de productie van LED-chips.

Productbeschrijving
De SiC-coating van een grafietsubstraat voor halfgeleidertoepassingen levert een onderdeel op met een superieure zuiverheid en weerstand tegen oxiderende atmosfeer.
CVD SiC of CVI SiC wordt aangebracht op grafiet van eenvoudige of complexe onderdelen. De coating kan in verschillende diktes worden aangebracht en is geschikt voor zeer grote onderdelen.

 

Component

SiC-coating grafiet MOCVD Waferdragers

De bijzondere voordelen van onze met SiC gecoate grafietsusceptoren zijn de extreem hoge zuiverheid, de homogene coating en de uitstekende levensduur. Ze beschikken bovendien over een hoge chemische bestendigheid en thermische stabiliteit.

Bij het aanbrengen van de SiC-coating hanteren we zeer nauwe toleranties en maken we gebruik van uiterst nauwkeurige bewerkingstechnieken om een ​​uniform susceptorprofiel te garanderen. We produceren tevens materialen met ideale elektrische weerstandseigenschappen voor gebruik in inductief verwarmde systemen. Alle afgewerkte componenten worden geleverd met een certificaat van zuiverheid en dimensionale conformiteit.

Sollicitatie:

2

Functies:
• Uitstekende thermische schokbestendigheid
• Uitstekende fysieke schokbestendigheid
• Uitstekende chemische bestendigheid
• Superhoge zuiverheid
• Beschikbaar in complexe vormen
• Bruikbaar in een oxiderende atmosfeerTypische eigenschappen van basisgrafietmateriaal:

Schijnbare dichtheid: 1,85 g/cm3
Elektrische weerstand: 11 μΩm
Buigsterkte: 49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-hardheid: 58
As: <5 ppm
Thermische geleidbaarheid: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

We beschikken nu over een zeer efficiënt team om vragen van klanten te beantwoorden. Ons doel is "100% klanttevredenheid door de uitmuntendheid van ons product of onze dienst, de prijs en de service van ons team" en we genieten een grote reputatie bij onze klanten. Dankzij onze vele fabrieken kunnen we een breed scala aan GaN-gebaseerde epitaxiale lagen op SiC-substraten van 4 inch tegen gereduceerde prijzen aanbieden. We verwelkomen graag zakelijke partners uit alle sectoren en hopen een vriendschappelijke en coöperatieve zakelijke relatie met u op te bouwen en een win-winsituatie te bereiken.
KortingsprijsGaN-substraten en GaN-films uit ChinaWij kijken er oprecht naar uit om met klanten over de hele wereld samen te werken. Wij zijn ervan overtuigd dat wij u tevreden kunnen stellen met onze hoogwaardige producten en perfecte service. Wij nodigen u van harte uit om ons bedrijf te bezoeken en onze producten te kopen.


  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp online chat!