6 tommers P-type silisiumskive

Kort beskrivelse:

VET Energys 6-tommers P-type silisiumwafer er et høykvalitets halvlederbasemateriale, mye brukt i produksjonen av ulike elektroniske enheter. VET Energy bruker avansert CZ-vekstprosess for å sikre at waferen har utmerket krystallkvalitet, lav defekttetthet og høy ensartethet.


Produktdetaljer

Produktetiketter

VET Energys produktlinje er ikke begrenset til silisiumskiver. Vi tilbyr også et bredt spekter av halvledersubstratmaterialer, inkludert SiC-substrat, SOI-skiver, SiN-substrat, Epi-skiver osv., samt nye halvledermaterialer med bredt båndgap som galliumoksid Ga2O3 og AlN-skiver. Disse produktene kan dekke behovene til ulike kunder innen kraftelektronikk, radiofrekvens, sensorer og andre felt.

Søknadsfelt:
Integrerte kretser:Som basismateriale for produksjon av integrerte kretser er P-type silisiumskiver mye brukt i ulike logiske kretser, minner, etc.
Strømforsyninger:P-type silisiumskiver kan brukes til å lage kraftenheter som krafttransistorer og dioder.
Sensorer:P-type silisiumskiver kan brukes til å lage ulike typer sensorer, for eksempel trykksensorer, temperatursensorer, etc.
Solceller:P-type silisiumskiver er en viktig komponent i solceller.

VET Energy tilbyr kundene tilpassede waferløsninger, og kan tilpasse wafere med ulik resistivitet, ulikt oksygeninnhold, ulik tykkelse og andre spesifikasjoner i henhold til kundenes spesifikke behov. I tillegg tilbyr vi også profesjonell teknisk støtte og ettersalgsservice for å hjelpe kundene med å løse ulike problemer som oppstår i produksjonsprosessen.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASJONER FOR VAFFERING

*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende

Punkt

8-tommers

6-tommers

4-tommers

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bue(GF3YFCD) – Absolutt verdi

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Varp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2 μm

Waferkant

Avfasing

OVERFLATEFINISH

*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende

Punkt

8-tommers

6-tommers

4-tommers

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Overflatebehandling

Dobbeltsidig optisk polering, Si-Face CMP

Overflateruhet

(10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Kantbrikker

Ingen tillatt (lengde og bredde ≥0,5 mm)

Innrykk

Ingen tillatt

Riper (Si-Face)

Antall ≤5, Kumulativ
Lengde ≤0,5 × skivediameter

Antall ≤5, Kumulativ
Lengde ≤0,5 × skivediameter

Antall ≤5, Kumulativ
Lengde ≤0,5 × skivediameter

Sprekker

Ingen tillatt

Kantekskludering

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Tidligere:
  • Neste:

  • WhatsApp online chat!