SiC fa'apipi'i graphite fa'avae e masani ona fa'aoga e lagolago ma fa'avela ai mea tioata ta'itasi i masini fa'ameamea fa'ameamea fa'ameamea (MOCVD). O le faʻamautuina o le vevela, faʻaogaina o le vevela ma isi faʻataʻitaʻiga o le SiC coated graphite base o loʻo i ai se sao taua i le tulaga lelei o le tuputupu aʻe o mea epitaxial, o lea o le vaega autu autu lea o meafaigaluega MOCVD.
I le fa'agasologa o le gaosiga o le wafer, o lo'o fa'apipi'i fa'apipi'i epitaxial layers i luga o nisi o mea fa'atosina e faafaigofie ai le gaosiga o masini. E mana'omia e masini fa'amalama fa'amalama fa'apitoa a le ta'ita'i ona saunia fa'a epitaxial o le GaA i luga o mea fa'apipi'i; O le SiC epitaxial layer e tupu aʻe i luga o le conductive SiC substrate mo le fausiaina o masini e pei o le SBD, MOSFET, ma isi, mo le maualuga o le voltage, maualuga o loʻo iai nei ma isi mana faʻaoga; GaN epitaxial layer o loʻo fausia ile semi-insulated SiC substrate e faʻaleleia atili ai le HEMT ma isi masini mo talosaga RF e pei o fesoʻotaʻiga. O lenei faiga e le mafai ona tu'ueseeseina mai masini CVD.
I masini CVD, e le mafai ona tuʻu saʻo le substrate i luga o le uʻamea pe naʻo le tuʻuina i luga o se faʻavae mo le faʻapipiʻiina o le epitaxial, aua e aofia ai le tafe o le kesi (tutusa, tuʻu), vevela, mamafa, faʻapipiʻiina, faʻamaligiina o mea filogia ma isi vaega o aʻafiaga. O le mea lea, e manaʻomia se faʻavae, ona tuʻu lea o le substrate i luga o le disk, ona faʻataunuʻuina lea o le epitaxial deposition i luga o le substrate e faʻaaoga ai tekinolosi CVD, ma o lenei faʻavae o le SiC coated graphite base (faʻapitoa foi o le fata).
SiC fa'apipi'i graphite fa'avae e masani ona fa'aoga e lagolago ma fa'avela ai mea tioata ta'itasi i masini fa'ameamea fa'ameamea fa'ameamea (MOCVD). O le faʻamautuina o le vevela, faʻaogaina o le vevela ma isi faʻataʻitaʻiga o le SiC coated graphite base o loʻo i ai se sao taua i le tulaga lelei o le tuputupu aʻe o mea epitaxial, o lea o le vaega autu autu lea o meafaigaluega MOCVD.
Metal-organic vapor deposition (MOCVD) o le tekinolosi autu mo le tuputupu aʻe epitaxial o ata GaN i le lanumoana lanumoana. O loʻo i ai le lelei o le faʻaogaina faigofie, faʻatonuina le tuputupu aʻe ma le mama maualuga o ata GaN. I le avea ai o se vaega taua i le potu tali o meafaigaluega MOCVD, o le faʻavae o loʻo faʻaaogaina mo le GaN ata tifaga epitaxial tuputupu aʻe e manaʻomia ona i ai le lelei o le maualuga o le vevela, faʻaogaina o le vevela, faʻamautu lelei kemisi, malosi malosi faʻateʻia, ma isi mea.
I le avea ai o se tasi o vaega autu o masini MOCVD, o le graphite base o le ave ma le faʻamafanafanaina o le substrate, lea e fuafua saʻo ai le tutusa ma le mama o mea ata tifaga, o lona uiga e aʻafia tonu ai le saunia o le pepa epitaxial, ma i le taimi lava e tasi, faʻatasi ai ma le faʻaopoopoga o le numera o faʻaoga ma le suiga o tulaga faigaluega, e matua faigofie lava ona ofuina, e aofia ai i mea faʻaaoga.
E ui lava o le graphite e sili ona lelei le faʻaogaina o le vevela ma le mautu, o loʻo i ai se avanoa lelei e avea o se vaega autu o meafaigaluega MOCVD, ae i le faagasologa o le gaosiga, o le graphite o le a faʻaleagaina le paʻu ona o le toega o kasa ma mea faʻameamea, ma o le a faʻaitiitia le ola tautua o le graphite base. I le taimi lava e tasi, o le pauu pa'ū graphite o le a mafua ai le filogia i le pu.
O le tulaʻi mai o tekonolosi faʻapipiʻi e mafai ona tuʻuina atu le faʻapipiʻiina o le paʻu, faʻaleleia le faʻafefe o le vevela, ma tutusa le tufatufaina o le vevela, lea ua avea ma tekonolosi autu e foia ai lenei faafitauli. Fa'avae graphite i masini MOCVD fa'aoga si'osi'omaga, graphite fa'avae pito i luga e tatau ona fetaui ma uiga nei:
(1) E mafai ona afifi atoatoa le faavae graphite, ma le density e lelei, a leai o le faavae graphite e faigofie ona corroded i le kesi corrosive.
(2) O le malosi tuʻufaʻatasia ma le faavae graphite e maualuga e faʻamautinoa ai e le faigofie ona paʻu ese le ufiufi pe a uma le tele o le vevela ma le maualalo o le vevela.
(3) E lelei le mautu o vailaʻau e aloese ai mai le faʻaogaina o le paʻu i le maualuga o le vevela ma le atemosifia pala.
O le SiC o loʻo i ai le lelei o le faʻamaʻiina o le pala, maualuga le vevela, faʻalavelave faʻafuaseʻi ma le mautu o vailaʻau, ma e mafai ona galue lelei i le GaN epitaxial atmosphere. E le gata i lea, o le maualuga o le faʻalauteleina o le vevela o le SiC e matua ese lava mai le graphite, o lea o le SiC o le mea sili lea mo le faʻapipiʻiina o le graphite base.
I le taimi nei, o le SiC masani o le 3C, 4H ma le 6H ituaiga, ma o le SiC faʻaogaina o ituaiga tioata eseese e eseese. Mo se faʻataʻitaʻiga, e mafai e le 4H-SiC ona gaosia masini maualuga; 6H-SiC e sili ona mautu ma e mafai ona gaosia masini photoelectric; Ona o lona fausaga tutusa i le GaN, e mafai ona faʻaaogaina le 3C-SiC e gaosia ai le gaN epitaxial layer ma le gaosiga o masini SiC-GaN RF. 3C-SiC e masani ona taʻua o le β-SiC, ma o se faʻaoga taua o le β-SiC o se ata tifaga ma mea faʻapipiʻi, o lea o le β-SiC o loʻo avea nei ma mea autu mo le ufiufi.
Metotia mo le saunia o le fa'apipi'i carbide silicon
I le taimi nei, o auala sauniuni o le SiC coating e masani lava ona aofia ai le gel-sol method, faʻapipiʻi auala, auala faʻapipiʻi pulumu, auala faʻapipiʻi plasma, kesi kesi kesi (CVR) ma vailaʻau faʻafusu auala (CVD).
Metotia fa'apipi'i:
O le metotia o se ituaiga o le maualuga o le vevela o le sintering vaega, lea e masani ona faʻaaogaina le faʻafefiloi o le paʻu Si ma le paʻu C e pei o le faʻapipiʻiina o le paʻu, o le graphite matrix o loʻo tuʻuina i totonu o le embedding paʻu, ma le maualuga o le vevela o le sintering e faia i le kesi inert, ma mulimuli ane maua le SiC coating i luga o le mata o le graphite matrix. O le faagasologa e faigofie ma o le tuufaatasiga i le va o le ufiufi ma le substrate e lelei, ae o le tutusa o le ufiufi i luga o le itu mafiafia e le lelei, lea e faigofie ona maua ai le tele o pu ma taitai atu ai i le le lelei o le faʻamaʻiina.
Auala e ufiufi ai le pulumu:
O le auala e faʻapipiʻi ai le pulumu e masani lava o le fufuluina o mea mataʻu vai i luga o le mata o le graphite matrix, ona faʻamalolo ai lea o mea mata i se vevela faapitoa e saunia ai le ufiufi. O le faagasologa e faigofie ma e maualalo le tau, ae o le faʻapipiʻi saunia e ala i le pulumu faʻapipiʻi auala e vaivai i le tuʻufaʻatasia ma le substrate, e le lelei le faʻaogaina o le ufiufi, e manifinifi le ufiufi ma e maualalo le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina, ma e manaʻomia isi auala e fesoasoani ai.
Fa'asalaina auala:
O le auala e faʻafefe ai le plasma e masani lava ona faʻapipiʻi mea faʻafefete faʻafefete pe semi-liusuavai i luga o le mata o le graphite matrix ma se fana plasma, ona faʻamalosi lea ma faʻapipiʻi e fai ai se ufiufi. O le auala e faigofie ona faʻaogaina ma e mafai ona saunia se faʻapipiʻi silicon carbide coating, ae o le silicon carbide coating saunia e le metotia e masani ona vaivai tele ma taʻitaʻia ai le vaivai o le faʻamaʻiina o le faʻamaʻi, o lea e masani ona faʻaaogaina mo le saunia o le SiC faʻapipiʻi faʻapipiʻi e faʻaleleia ai le lelei o le ufiufi.
Metotia gel-sol:
O le auala gel-sol e masani lava ona saunia se toniga ma manino sol fofo e ufiufi ai luga o le matrix, faʻamago i totonu o se gel ona faʻapipiʻi ai lea e maua ai se ufiufi. O lenei metotia e faigofie ona faʻaogaina ma maualalo i le tau, ae o le faʻapipiʻiina o loʻo gaosia o loʻo i ai ni faaletonu e pei o le maualalo o le teteʻe o le vevela ma le faigofie ona taʻe, o lea e le mafai ona faʻaaogaina lautele.
Fa'a'a'ai Kesi (CVR):
O le CVR e masani lava ona gaosia le SiC coating e ala i le faʻaaogaina o le Si ma le SiO2 paʻu e faʻatupu ai le ausa SiO i le maualuga o le vevela, ma o se faasologa o gaioiga faʻasolosolo e tupu i luga o le C material substrate. O le SiC coating ua saunia e lenei metotia e vavalalata vavalalata i le substrate, ae o le vevela o le tali e maualuga atu ma maualuga le tau.
Fa'ate'aina Ausa Fa'ama'i (CVD):
I le taimi nei, o le CVD o le tekonolosi autu mo le saunia o le SiC coating i luga o le substrate surface. O le fa'agasologa autu o se fa'asologa o gaioiga fa'aletino ma vaila'au o mea e fa'afefeteina vaega kesi i luga o le substrate surface, ma mulimuli ane saunia le SiC coating e ala i le tu'uina i luga o le substrate surface. O le SiC coating saunia e le CVD tekinolosi e vavalalata vavalalata i luga o le substrate, lea e mafai ona faʻaleleia lelei le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina ma le faʻafefeteina o mea faʻapipiʻi, ae o le taimi o le tuʻuina atu o lenei metotia e umi atu, ma o le kesi faʻaalia ei ai se kesi oona.
Ole tulaga ole maketi ole SiC coated graphite base
Ina ua vave amata le au gaosi oloa mai fafo, sa latou maua le taʻitaʻiga manino ma le maualuga o sea maketi. Faʻavaomalo, o le aufaipisinisi autu o le SiC coated graphite base o Dutch Xycard, Siamani SGL Carbon (SGL), Iapani Toyo Carbon, le United States MEMC ma isi kamupani, o loʻo nofoia le maketi faavaomalo. E ui lava o Saina ua malepelepe i le tekinolosi autu autu o le tuputupu aʻe o le SiC coating i luga o le mata o le graphite matrix, o loʻo faʻalagolago pea le graphite matrix i Siamani SGL, Iapani Toyo Carbon ma isi pisinisi, o le graphite matrix na tuʻuina atu e pisinisi i totonu o le atunuʻu e aʻafia ai le ola tautua ona o le vevela conductivity, elastic modulus, faʻamalosi malosi, lattice faaletonu ma isi faʻafitauli lelei. Ole masini MOCVD e le mafai ona faʻamalieina manaʻoga o le faʻaogaina ole SiC coated graphite base.
O lo'o fa'atupula'ia vave le alamanuia semiconductor a Saina, fa'atasi ai ma le fa'atupula'ia malie o le MOCVD epitaxial equipment localization rate, ma isi fa'agasologa o talosaga fa'alauteleina, o le lumana'i SiC coated graphite base oloa maketi ua fa'amoemoe e tupu vave. E tusa ai ma faʻataʻitaʻiga muamua o pisinisi, o le maketi o le graphite i totonu o le atunuʻu o le a sili atu i le 500 miliona yuan i nai tausaga o lumanaʻi.
SiC coated graphite base o le vaega autu lea o masini semiconductor industrialization tuufaatasia, mastering le tekinolosi autu autu o lona gaosiga ma le gaosiga, ma le iloaina o le localization o le filifili alamanuia o meafaitino-faagaioiga-meafaigaluega uma e taua tele fuafuaga mo le faamautinoaina o le atinae o alamanuia semiconductor a Saina. O lo'o fa'aolaola le fanua o le SiC fa'apipi'iina fa'avae graphite, ma e mafai ona o'o atu le tulaga maualuga fa'avaomalo i se taimi vave.
Taimi meli: Iul-24-2023