Ҳоло мо қувваи кории хеле самаранок дорем, то бо дархостҳои истеъмолкунандагон сарукор дошта бошем. Ҳадафи мо "100% қаноатмандии истеъмолкунандагон тавассути маҳсулот ё хидмати аъло, нархи фурӯш ва хидматрасонии дастаи мо" ва лаззат бурдан аз маъруфияти зиёд дар байни муштариён аст. Бо бисёр корхонаҳо, мо метавонем доираи васеи маҳсулоти GaN-асоси эпитаксиалиро бо нархи тахфифӣ дар Sic Substrates 4′′ пешниҳод кунем. Мо шарикони тиҷорати хурдро аз ҳама соҳаҳои ҳаёт самимона истиқбол мекунем ва умедворем, ки бо шумо тиҷорати дӯстона ва ҳамкорӣ барқарор кунем ва ба ҳадафи бурднок ноил шавем.
Ҳоло мо қувваи кории хеле самаранок дорем, то ба дархостҳои истеъмолкунандагон ҷавобгӯ бошем. Ҳадафи мо «100% қаноатмандии истеъмолкунандагон тавассути маҳсулот ё хидмати аъло, нархи фурӯш ва хидматрасонии дастаи мо» ва аз маъруфияти зиёд дар байни муштариён лаззат бурдан аст. Бо корхонаҳои зиёд, мо метавонем доираи васеи маҳсулотро пешниҳод кунем.Субстратҳои GaN-и Чин ва филми GaN, Мо самимона интизори ҳамкорӣ бо муштариён дар саросари ҷаҳон ҳастем. Мо боварӣ дорем, ки метавонем шуморо бо маҳсулоти босифат ва хидматрасонии комил қонеъ гардонем. Мо инчунин муштариёнро барои боздид аз ширкати мо ва харидани маҳсулоти мо самимона истиқбол мекунем.

Графити рӯйпӯши SiC MOCVD Интиқолдиҳандаҳои вафли MOCVD

Ҳамаи суссепторҳои мо аз графити изостатикии баландқувват сохта шудаанд. Аз тозагии баланди графитҳои мо баҳра баред - махсусан барои равандҳои душвор ба монанди эпитаксия, парвариши булӯр, имплантатсияи ионҳо ва кандакории плазмавӣ, инчунин барои истеҳсоли чипҳои LED таҳия шудаанд.

Тавсифи Маҳсулот
Пӯшиши SiC аз субстрати графит барои барномаҳои нимноқилҳо қисмеро бо покии баланд ва муқовимат ба атмосфераи оксидкунанда ба вуҷуд меорад.
CVD SiC ё CVI SiC барои графити қисмҳои содда ё мураккаб истифода мешавад. Рӯйпӯшро бо ғафсӣҳои гуногун ва ба қисмҳои хеле калон истифода бурдан мумкин аст.

Компон

Бартариҳои махсуси сусепторҳои графити бо пӯшиши SiC-и мо иборатанд аз тозагии бениҳоят баланд, пӯшиши якхела ва мӯҳлати аълои хизматрасонӣ. Онҳо инчунин муқовимати баланди кимиёвӣ ва хосиятҳои устувории гармӣ доранд.

Ҳангоми истифодаи рӯйпӯши SiC, мо таҳаммулпазирии хеле наздикро нигоҳ медорем ва бо истифода аз коркарди дақиқи баланд барои таъмини профили ягонаи суссептор истифода мебарем. Мо инчунин маводҳоеро бо хосиятҳои муқовимати электрикии беҳтарин барои истифода дар системаҳои гармидиҳии индуктивӣ истеҳсол мекунем. Ҳамаи ҷузъҳои тайёр бо сертификати покӣ ва мутобиқати андоза меоянд.

Ариза:

Вижагиҳо:
· Муқовимати аълои зарбаи гармидиҳӣ
· Муқовимати аълои зарбаи ҷисмонӣ
· Муқовимати аълои кимиёвӣ
· Покии хеле баланд
· Дастрасӣ дар шакли мураккаб
· Дар атмосфераи оксидшаванда истифодашавандаХусусиятҳои хоси маводи графитии асосӣ:

Ҳоло мо қувваи кории хеле самаранок дорем, то бо дархостҳои истеъмолкунандагон сарукор дошта бошем. Ҳадафи мо "100% қаноатмандии истеъмолкунандагон тавассути маҳсулот ё хидмати аъло, нархи фурӯш ва хидматрасонии дастаи мо" ва лаззат бурдан аз маъруфияти зиёд дар байни муштариён аст. Бо бисёр корхонаҳо, мо метавонем доираи васеи маҳсулоти GaN-асоси эпитаксиалиро бо нархи тахфифӣ дар Sic Substrates 4′′ пешниҳод кунем. Мо шарикони тиҷорати хурдро аз ҳама соҳаҳои ҳаёт самимона истиқбол мекунем ва умедворем, ки бо шумо тиҷорати дӯстона ва ҳамкорӣ барқарор кунем ва ба ҳадафи бурднок ноил шавем.
Нархи тахфифӣСубстратҳои GaN-и Чин ва филми GaN, Мо самимона интизори ҳамкорӣ бо муштариён дар саросари ҷаҳон ҳастем. Мо боварӣ дорем, ки метавонем шуморо бо маҳсулоти босифат ва хидматрасонии комил қонеъ гардонем. Мо инчунин муштариёнро барои боздид аз ширкати мо ва харидани маҳсулоти мо самимона истиқбол мекунем.