-
সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়া ফটোলিথোগ্রাফির সম্পূর্ণ প্রক্রিয়া
প্রতিটি সেমিকন্ডাক্টর পণ্য তৈরির জন্য শত শত প্রক্রিয়ার প্রয়োজন হয়। আমরা পুরো উৎপাদন প্রক্রিয়াটিকে আটটি ধাপে ভাগ করি: ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ-জারণ-ফটোলিথোগ্রাফি-এচিং-পাতলা ফিল্ম ডিপোজিশন-এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ-ডিফিউশন-আয়ন ইমপ্লান্টেশন। আপনাকে সাহায্য করার জন্য...আরও পড়ুন -
৪ বিলিয়ন! এসকে হাইনিক্স পারডু রিসার্চ পার্কে সেমিকন্ডাক্টর অ্যাডভান্সড প্যাকেজিং বিনিয়োগের ঘোষণা দিয়েছে
ওয়েস্ট লাফায়েট, ইন্ডিয়ানা - এসকে হাইনিক্স ইনকর্পোরেটেড পারডু রিসার্চ পার্কে কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা পণ্যের জন্য একটি উন্নত প্যাকেজিং উৎপাদন এবং গবেষণা ও উন্নয়ন সুবিধা তৈরিতে প্রায় ৪ বিলিয়ন ডলার বিনিয়োগের পরিকল্পনা ঘোষণা করেছে। ওয়েস্ট লাফায়েটে মার্কিন সেমিকন্ডাক্টর সরবরাহ শৃঙ্খলে একটি গুরুত্বপূর্ণ লিঙ্ক স্থাপন করা হচ্ছে...আরও পড়ুন -
লেজার প্রযুক্তি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির রূপান্তরের নেতৃত্ব দেয়
1. সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির সংক্ষিপ্ত বিবরণ বর্তমান সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণ ধাপগুলির মধ্যে রয়েছে: বাইরের বৃত্তটি পিষে ফেলা, স্লাইসিং, চেমফারিং, গ্রাইন্ডিং, পলিশিং, পরিষ্কার করা ইত্যাদি। সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণে স্লাইসিং একটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ...আরও পড়ুন -
মূলধারার তাপ ক্ষেত্র উপকরণ: C/C যৌগিক উপকরণ
কার্বন-কার্বন কম্পোজিট হল এক ধরণের কার্বন ফাইবার কম্পোজিট, যার শক্তিবৃদ্ধি উপাদান হিসেবে কার্বন ফাইবার এবং ম্যাট্রিক্স উপাদান হিসেবে জমা কার্বন থাকে। C/C কম্পোজিটগুলির ম্যাট্রিক্স হল কার্বন। যেহেতু এটি প্রায় সম্পূর্ণরূপে মৌলিক কার্বন দিয়ে গঠিত, তাই এর উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা চমৎকার...আরও পড়ুন -
SiC স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য তিনটি প্রধান কৌশল
চিত্র ৩-এ দেখানো হয়েছে, SiC একক স্ফটিককে উচ্চমানের এবং দক্ষতা প্রদানের লক্ষ্যে তিনটি প্রধান কৌশল রয়েছে: তরল ফেজ এপিট্যাক্সি (LPE), ভৌত বাষ্প পরিবহন (PVT), এবং উচ্চ-তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প জমা (HTCVD)। PVT হল SiC সিন উৎপাদনের জন্য একটি সুপ্রতিষ্ঠিত প্রক্রিয়া...আরও পড়ুন -
তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর GaN এবং সম্পর্কিত এপিট্যাক্সিয়াল প্রযুক্তির সংক্ষিপ্ত ভূমিকা
১. তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তিটি সি এবং জিই এর মতো সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয়েছিল। এটি ট্রানজিস্টর এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির বিকাশের জন্য উপাদান ভিত্তি। প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলি ... স্থাপন করেছিল।আরও পড়ুন -
২৩.৫ বিলিয়ন ডলারের সুঝোর সুপার ইউনিকর্ন আইপিওতে যাচ্ছে
৯ বছরের উদ্যোক্তা হিসেবে কাজ করার পর, ইনোসায়েন্স মোট অর্থায়নে ৬ বিলিয়ন ইউয়ানেরও বেশি অর্থায়ন করেছে এবং এর মূল্যায়ন আশ্চর্যজনকভাবে ২৩.৫ বিলিয়ন ইউয়ানে পৌঁছেছে। বিনিয়োগকারীদের তালিকা কয়েক ডজন কোম্পানির মতো দীর্ঘ: ফুকুন ভেঞ্চার ক্যাপিটাল, ডংফ্যাং রাষ্ট্রীয় মালিকানাধীন সম্পদ, সুঝো ঝানই, উজিয়ান...আরও পড়ুন -
ট্যানটালাম কার্বাইড লেপা পণ্য কীভাবে উপকরণের ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ায়?
ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ একটি সাধারণভাবে ব্যবহৃত পৃষ্ঠ চিকিত্সা প্রযুক্তি যা উপকরণের ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করতে পারে। ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ বিভিন্ন প্রস্তুতি পদ্ধতির মাধ্যমে সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠের সাথে সংযুক্ত করা যেতে পারে, যেমন রাসায়নিক বাষ্প জমা, পদার্থ...আরও পড়ুন -
তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর GaN এবং সম্পর্কিত এপিট্যাক্সিয়াল প্রযুক্তির পরিচিতি
১. তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তিটি সি এবং জিই এর মতো সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয়েছিল। এটি ট্রানজিস্টর এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির বিকাশের জন্য উপাদান ভিত্তি। প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলি ...আরও পড়ুন