E basi di grafite rivestite di SiC sò cumunemente aduprate per supportà è riscaldà substrati di cristallu unicu in apparecchiature di deposizione chimica da vapore metallo-organicu (MOCVD). A stabilità termica, l'uniformità termica è altri parametri di prestazione di a basa di grafite rivestita di SiC ghjocanu un rolu decisivu in a qualità di a crescita di u materiale epitassiale, dunque hè u cumpunente chjave principale di l'apparecchiature MOCVD.
In u prucessu di fabricazione di wafer, i strati epitassiali sò ancu custruiti nantu à certi sustrati di wafer per facilità a fabricazione di dispositivi. I dispositivi tipici chì emettenu luce LED anu bisognu di preparà strati epitassiali di GaAs nantu à sustrati di siliciu; U stratu epitassiale di SiC hè cultivatu nantu à u sustratu SiC conduttivu per a custruzzione di dispositivi cum'è SBD, MOSFET, ecc., per alta tensione, alta corrente è altre applicazioni di putenza; U stratu epitassiale di GaN hè custruitu nantu à un sustratu SiC semi-isolatu per custruisce ulteriormente HEMT è altri dispositivi per applicazioni RF cum'è a cumunicazione. Stu prucessu hè inseparabile da l'equipaggiu CVD.
In l'equipaggiu CVD, u sustratu ùn pò micca esse piazzatu direttamente nantu à u metallu o simpricimenti piazzatu nantu à una basa per a deposizione epitassiale, perchè implica u flussu di gas (urizzuntale, verticale), a temperatura, a pressione, a fissazione, u spargimentu di inquinanti è altri aspetti di i fattori d'influenza. Dunque, hè necessariu aduprà una basa, è dopu mette u sustratu nantu à u discu, è dopu aduprà a tecnulugia CVD per a deposizione epitassiale nantu à u sustratu, chì hè a basa di grafite rivestita di SiC (cunnisciuta ancu cum'è u vassoio).
E basi di grafite rivestite di SiC sò cumunemente aduprate per supportà è riscaldà substrati di cristallu unicu in apparecchiature di deposizione chimica da vapore metallo-organicu (MOCVD). A stabilità termica, l'uniformità termica è altri parametri di prestazione di a basa di grafite rivestita di SiC ghjocanu un rolu decisivu in a qualità di a crescita di u materiale epitassiale, dunque hè u cumpunente chjave principale di l'apparecchiature MOCVD.
A deposizione chimica di vapore metallorganicu (MOCVD) hè a tecnulugia principale per a crescita epitassiale di filmi GaN in LED blu. Hà i vantaghji di un funziunamentu simplice, una velocità di crescita cuntrullata è una alta purezza di i filmi GaN. Cum'è un cumpunente impurtante in a camera di reazione di l'equipaggiu MOCVD, a basa di supportu aduprata per a crescita epitassiale di u filmu GaN deve avè i vantaghji di resistenza à alta temperatura, cunduttività termica uniforme, bona stabilità chimica, forte resistenza à i shock termichi, ecc. U materiale di grafite pò risponde à e cundizioni sopra menzionate.
Cum'è unu di i cumpunenti principali di l'equipaggiu MOCVD, a basa di grafite hè u purtatore è u corpu di riscaldamentu di u sustratu, chì determina direttamente l'uniformità è a purità di u materiale di u film, dunque a so qualità affetta direttamente a preparazione di u fogliu epitassiale, è à u listessu tempu, cù l'aumentu di u numeru d'usi è u cambiamentu di e cundizioni di travagliu, hè assai faciule da purtà, appartenendu à i cunsumabili.
Ancu s'è a grafite hà una eccellente cunduttività termica è stabilità, hà un bon vantaghju cum'è cumpunente di basa di l'equipaggiu MOCVD, ma in u prucessu di pruduzzione, a grafite corroderà a polvere per via di i residui di gas currusivi è di cumposti organici metallichi, è a vita di serviziu di a basa di grafite serà assai ridutta. À u listessu tempu, a polvere di grafite chì cade causerà inquinamentu à u chip.
L'emergenza di a tecnulugia di rivestimentu pò furnisce una fissazione di a polvere di superficia, migliurà a cunduttività termica è equalizà a distribuzione di u calore, chì hè diventata a tecnulugia principale per risolve stu prublema. A basa di grafite in l'ambiente d'usu di l'equipaggiu MOCVD, u rivestimentu di superficia di basa di grafite deve risponde à e seguenti caratteristiche:
(1) A basa di grafite pò esse cumpletamente imballata, è a densità hè bona, altrimenti a basa di grafite hè faciule da currude in u gasu currusivu.
(2) A forza di cumbinazione cù a basa di grafite hè alta per assicurà chì u rivestimentu ùn sia micca faciule da cascà dopu à parechji cicli di alta è bassa temperatura.
(3) Hà una bona stabilità chimica per evità a rottura di u rivestimentu in alta temperatura è in atmosfera corrosiva.
U SiC hà i vantaghji di a resistenza à a currusione, di l'alta cunduttività termica, di a resistenza à i shock termichi è di l'alta stabilità chimica, è pò funziunà bè in l'atmosfera epitassiale di GaN. Inoltre, u coefficientu di dilatazione termica di u SiC differisce assai pocu da quellu di a grafite, dunque u SiC hè u materiale preferitu per u rivestimentu superficiale di a basa di grafite.
Attualmente, u SiC cumunu hè principalmente di tipu 3C, 4H è 6H, è l'usi di SiC di diversi tipi di cristalli sò diversi. Per esempiu, 4H-SiC pò fabricà dispositivi di alta putenza; 6H-SiC hè u più stabile è pò fabricà dispositivi fotoelettrici; Per via di a so struttura simile à GaN, 3C-SiC pò esse adupratu per pruduce un stratu epitassiale di GaN è fabricà dispositivi RF SiC-GaN. 3C-SiC hè ancu cunnisciutu cum'è β-SiC, è un usu impurtante di β-SiC hè cum'è film è materiale di rivestimentu, dunque β-SiC hè attualmente u materiale principale per u rivestimentu.
Data di publicazione: 04/08/2023