SiC белән капланган графит нигезләре гадәттә металл-органик химик пар утырту (MOCVD) җиһазларында монокристалл субстратларны тоту һәм җылыту өчен кулланыла. SiC белән капланган графит нигезенең термик тотрыклылыгы, термик бердәмлеге һәм башка эш параметрлары эпитаксиаль материал үсеше сыйфатында хәлиткеч роль уйный, шуңа күрә ул MOCVD җиһазларының төп компоненты булып тора.
Пластиналар җитештерү процессында, җайланмалар җитештерүне җиңеләйтү өчен, кайбер пластиналар субстратларында эпитаксиаль катламнар өстәмә рәвештә төзелә. Гадәти LED яктылык чыгаручы җайланмалар кремний субстратларында GaAs эпитаксиаль катламнарын әзерләргә тиеш; SiC эпитаксиаль катламы югары көчәнешле, югары токлы һәм башка куәтле кушымталар өчен SBD, MOSFET һ.б. кебек җайланмалар төзү өчен үткәргеч SiC субстратында үстерелә; GaN эпитаксиаль катламы HEMT һәм элемтә кебек RF кушымталары өчен башка җайланмаларны өстәмә рәвештә төзү өчен ярымизоляцияләнгән SiC субстратында төзелә. Бу процесс CVD җиһазларыннан аерылгысыз.
CVD җиһазларында, нигезне турыдан-туры металл өстенә куярга яки эпитаксиаль утырту өчен нигезгә куярга ярамый, чөнки ул газ агымын (горизонталь, вертикаль), температураны, басымны, фиксацияне, пычраткыч матдәләрне чыгаруны һәм башка йогынты факторларын үз эченә ала. Шуңа күрә нигез кулланырга, аннары нигезне дискка куярга, аннары CVD технологиясен кулланып, нигезгә эпитаксиаль утырту кирәк, ул SiC белән капланган графит нигезе (шулай ук табак дип тә атала).
SiC белән капланган графит нигезләре гадәттә металл-органик химик пар утырту (MOCVD) җиһазларында монокристалл субстратларны тоту һәм җылыту өчен кулланыла. SiC белән капланган графит нигезенең термик тотрыклылыгы, термик бердәмлеге һәм башка эш параметрлары эпитаксиаль материал үсеше сыйфатында хәлиткеч роль уйный, шуңа күрә ул MOCVD җиһазларының төп компоненты булып тора.
Металл-органик химик пар белән каплау (MOCVD) - зәңгәр LED'ларда GaN пленкаларын эпитаксиаль үстерү өчен төп технология. Аның гади эшләве, үсеш тизлеге контрольдә тотылуы һәм GaN пленкаларының югары сафлыгы кебек өстенлекләре бар. MOCVD җиһазларының реакция камерасында мөһим компонент буларак, GaN пленка эпитаксиаль үсеше өчен кулланыла торган подшипник нигезе югары температурага чыдамлык, бердәм җылылык үткәрүчәнлек, яхшы химик тотрыклылык, көчле җылылык бәрелүенә чыдамлык һ.б. өстенлекләренә ия булырга тиеш. Графит материалы югарыда күрсәтелгән шартларга туры килә ала.
MOCVD җиһазларының төп компонентларының берсе буларак, графит нигезе субстратның йөртүчесе һәм җылыту гәүдәсе булып тора, ул пленка материалының бердәмлеген һәм сафлыгын турыдан-туры билгели, шуңа күрә аның сыйфаты эпитаксиаль катламны әзерләүгә турыдан-туры йогынты ясый, һәм шул ук вакытта, куллану саны арту һәм эш шартлары үзгәрү белән, ул бик җиңел киелә, чыгым материалларына карый.
Графит җылылык үткәрүчәнлеге һәм тотрыклылыгы ягыннан бик яхшы булса да, ул MOCVD җиһазларының төп компоненты буларак яхшы өстенлеккә ия, ләкин җитештерү процессында графит коррозияле газлар һәм металл органик матдәләр калдыклары аркасында порошокны коррозиягә дучар итә, һәм графит нигезенең хезмәт итү вакыты шактый кыскара. Шул ук вакытта, графит порошогы төшеп, чипның пычрануына китерә.
Каплау технологиясенең барлыкка килүе өслек порошогын фиксацияләүне тәэмин итә, җылылык үткәрүчәнлеген арттыра һәм җылылык бүленешен тигезли ала, бу исә бу проблеманы хәл итүнең төп технологиясенә әйләнде. MOCVD җиһазлары куллану мохитендә графит нигезе өслек каплавы түбәндәге үзенчәлекләргә туры килергә тиеш:
(1) Графит нигезен тулысынча төреп була, һәм тыгызлыгы яхшы, югыйсә графит нигезе коррозия газында җиңел коррозиягә дучар була.
(2) Графит нигезе белән кушылган ныклык югары, бу берничә югары температура һәм түбән температура циклыннан соң капламаның җиңел төшеп калмавын тәэмин итә.
(3) Югары температурада һәм коррозияле атмосферада каплау җимерелүен булдырмас өчен, ул яхшы химик тотрыклылыкка ия.
SiC коррозиягә чыдамлык, югары җылылык үткәрүчәнлек, җылылык бәрелүенә чыдамлык һәм югары химик тотрыклылык кебек өстенлекләргә ия, һәм ул GaN эпитаксиаль атмосферасында яхшы эшли ала. Моннан тыш, SiCның җылылык киңәю коэффициенты графитныкыннан бик аз аерыла, шуңа күрә SiC графит нигезенең өслеген каплау өчен өстенлекле материал булып тора.
Хәзерге вакытта киң таралган SiC, нигездә, 3C, 4H һәм 6H тибында, һәм төрле кристалл төрләренең SiC кулланылышы төрлечә. Мәсәлән, 4H-SiC югары куәтле җайланмалар җитештерә ала; 6H-SiC иң тотрыклы һәм фотоэлектрик җайланмалар җитештерә ала; GaN белән охшаш структурасы аркасында, 3C-SiC GaN эпитаксиаль катламын җитештерү һәм SiC-GaN RF җайланмаларын җитештерү өчен кулланылырга мөмкин. 3C-SiC шулай ук β-SiC буларак та билгеле, һәм β-SiC пленка һәм каплау материалы буларак мөһим кулланылышка ия, шуңа күрә β-SiC хәзерге вакытта каплау өчен төп материал булып тора.
Бастырып чыгару вакыты: 2023 елның 4 августы