SiC bilen örtülen grafit esaslary, metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD) enjamlarynda monokristal substratlary goldamak we gyzdyrmak üçin giňden ulanylýar. SiC bilen örtülen grafit esasynyň termal durnuklylygy, termal deňligi we beýleki iş görkezijileri epitaksial material ösüşiniň hilinde aýgytlaýjy rol oýnaýar, şonuň üçin ol MOCVD enjamlarynyň esasy esasy bölegi bolup durýar.
Plastinka öndürmek prosesinde, enjamlary öndürmegi ýeňilleşdirmek üçin käbir plastinka substratlarynda epitaksial gatlaklar has-da gurulýar. Adaty LED ýagtylyk çykarýan enjamlar kremniý substratlarynda GaAs epitaksial gatlaklaryny taýýarlamaly; SiC epitaksial gatlagy ýokary woltly, ýokary tokly we beýleki kuwwatly ulanylyşlar üçin SBD, MOSFET ýaly enjamlary gurmak üçin geçiriji SiC substratynda ösdürilip ýetişdirilýär; GaN epitaksial gatlagy HEMT we aragatnaşyk ýaly RF ulanylyşlary üçin beýleki enjamlary has-da gurmak üçin ýarym izolýasiýa edilen SiC substratynda gurulýar. Bu proses CVD enjamlary bilen aýrylmaz baglanyşyklydyr.
CVD enjamlarynda substraty gönüden-göni metalyň üstüne ýerleşdirip bolmaýar ýa-da epitaksial çökündi üçin diňe esasa goýup bolmaýar, sebäbi ol gaz akymyny (gorizontal, dik), temperaturany, basyşy, fiksasiýany, hapa maddalaryň dökülmegini we täsir ediji faktorlaryň beýleki taraplaryny öz içine alýar. Şonuň üçin esas ulanmak, soňra substraty diskiň üstüne goýmak we soňra CVD tehnologiýasyny ulanyp, substrata, ýagny SiC örtülen grafit esasa (tagta diýlip hem atlandyrylýar) epitaksial çökündi goýmak zerurdyr.
SiC bilen örtülen grafit esaslary, metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD) enjamlarynda monokristal substratlary goldamak we gyzdyrmak üçin giňden ulanylýar. SiC bilen örtülen grafit esasynyň termal durnuklylygy, termal deňligi we beýleki iş görkezijileri epitaksial material ösüşiniň hilinde aýgytlaýjy rol oýnaýar, şonuň üçin ol MOCVD enjamlarynyň esasy esasy bölegi bolup durýar.
Metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD) gök LED-lerde GaN plýonkalarynyň epitaksial ösüşi üçin esasy tehnologiýadyr. Onuň ýönekeý işleýşi, gözegçilik edilýän ösüş tizligi we GaN plýonkalarynyň ýokary arassalygy ýaly artykmaçlyklary bar. MOCVD enjamlarynyň reaksiýa kamerasynda möhüm bölek hökmünde GaN plýonkasynyň epitaksial ösüşi üçin ulanylýan podşipnik binýady ýokary temperatura garşylygy, birmeňzeş ýylylyk geçirijiligi, gowy himiki durnuklylyk, güýçli ýylylyk şokuna garşylyk we ş.m. ýaly artykmaçlyklara eýe bolmaly. Grafit materialy ýokardaky şertlere laýyk gelip biler.
MOCVD enjamlarynyň esasy bölekleriniň biri hökmünde grafit esasy substratyň daşaýjysy we gyzdyryjy göwresi bolup, ol plýonka materialynyň birmeňzeşligini we arassalygyny gönüden-göni kesgitleýär, şonuň üçin onuň hili epitaksial listiň taýýarlanmagyna gönüden-göni täsir edýär we şol bir wagtyň özünde ulanylyşlaryň sanynyň artmagy we iş şertleriniň üýtgemegi bilen, ony geýmek örän aňsat, sarp edilýän materiallara degişlidir.
Grafit ajaýyp ýylylyk geçirijiligine we durnuklylygyna eýe bolsa-da, MOCVD enjamlarynyň esasy bölegi hökmünde gowy artykmaçlyga eýedir, ýöne önümçilik prosesinde grafit poroşok gazlarynyň we metal organiki maddalaryň galyndysy sebäpli poroşoky poslaýar we grafit esasynyň hyzmat möhleti ep-esli azalýar. Şol bir wagtyň özünde, grafit poroşogynyň düşmegi çipiň hapalanmagyna sebäp bolar.
Örtük tehnologiýasynyň peýda bolmagy ýüz poroşogynyň fiksasiýasyny üpjün edip, ýylylyk geçirijiligini ýokarlandyryp we ýylylyk paýlanyşyny deňleşdirip biler, bu bolsa bu meseläni çözmegiň esasy tehnologiýasyna öwrüldi. MOCVD enjamlarynyň ulanylýan gurşawynda grafit esasynyň ýüz örtügi aşakdaky häsiýetlere laýyk gelmelidir:
(1) Grafit esasyny doly örtüp bolýar we dykyzlygy gowy bolýar, ýogsam grafit esasyny aşyndyryjy gazda poslamak aňsat bolýar.
(2) Grafit esasy bilen utgaşykly berklik ýokary bolup, örtügiň birnäçe ýokary temperatura we pes temperatura sikllerinden soň aňsatlyk bilen düşmezligini üpjün edýär.
(3) Ýokary temperaturada we poslama atmosferada örtügiň zaýalanmagynyň öňüni almak üçin gowy himiki durnuklylyga eýedir.
SiC korroziýa garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýylylyk şokuna garşylygy we ýokary himiki durnuklylyk ýaly artykmaçlyklara eýedir we GaN epitaksial atmosferada gowy işläp biler. Mundan başga-da, SiC-niň ýylylyk giňelme koeffisiýenti grafitden örän az tapawutlanýar, şonuň üçin SiC grafit esasynyň ýüz örtügi üçin iň gowy materialdyr.
Häzirki wagtda umumy SiC esasan 3C, 4H we 6H görnüşleridir we dürli kristal görnüşleriniň SiC ulanylyşy dürli-dürli. Mysal üçin, 4H-SiC ýokary kuwwatly enjamlary öndürip bilýär; 6H-SiC iň durnuklydyr we fotoelektrik enjamlary öndürip bilýär; GaN-a meňzeş gurluşy sebäpli, 3C-SiC GaN epitaksial gatlagyny öndürmek we SiC-GaN RF enjamlary öndürmek üçin ulanylyp bilner. 3C-SiC şeýle hem β-SiC diýlip atlandyrylýar we β-SiC-niň möhüm ulanylyşynyň biri plýonka we örtük materialy hökmünde ulanylmagydyr, şonuň üçin β-SiC häzirki wagtda örtük üçin esasy materialdyr.
Ýerleşdirilen wagty: 2023-nji ýylyň 4-nji awgusty