Bandeja de láminas epitaxiales de carburo de silicio para horno epitaxial de semiconductores

Breve descripción:

La bandeja de láminas epitaxiales de carburo de silicio VET Energy es un producto de alto rendimiento diseñado para ofrecer un desempeño constante y confiable durante un período prolongado. Posee una excelente resistencia al calor y uniformidad térmica, alta pureza y resistencia a la erosión, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas.

 


Detalles del producto

Etiquetas de producto

Inductores de SiC1
Inductores de SiC2

La bandeja de láminas de carburo de silicio es un componente clave en diversos procesos de fabricación de semiconductores. Utilizamos nuestra tecnología patentada para fabricar bandejas de láminas de carburo de silicio con una pureza extremadamente alta, una excelente uniformidad de recubrimiento y una vida útil excepcional, además de una elevada resistencia química y una gran estabilidad térmica.

VET Energy es un fabricante de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con diversos recubrimientos como SiC, Tac, carbono pirolítico, carbono vítreo, etc. Suministramos piezas a medida para la industria de semiconductores y fotovoltaica. Nuestro equipo técnico, formado por profesionales de las mejores instituciones de investigación nacionales, le ofrece soluciones de materiales altamente especializadas.

Desarrollamos continuamente procesos avanzados para ofrecer materiales más sofisticados y hemos desarrollado una tecnología patentada exclusiva que permite una unión más firme entre el recubrimiento y el sustrato, reduciendo la probabilidad de desprendimiento.

Características de nuestros productos:

1. Alta resistencia a la oxidación a temperaturas de hasta 1700℃.
2. Alta pureza y uniformidad térmica
3. Excelente resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

4. Alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
5. Mayor vida útil y mayor durabilidad.

Enfermedad cardiovascular SiC薄膜基本物理性能

Propiedades físicas básicas del SiC CVDrevestimiento

性质 / Propiedad

典型数值 / Valor típico

晶体结构 Estructura cristalina

Fase β de la FCC多晶,主要为(111)取向

密度 / Densidad

3,21 g/cm³

硬度 / Dureza

2500 libras (carga de 500 g)

晶粒大小 / Tamaño del grano

2~10 μm

纯度 Pureza química

99,99995%

热容 Capacidad calorífica

640 J·kg-1·K-1

升华温度 Temperatura de sublimación

2700℃

抗弯强度 / Resistencia a la flexión

415 MPa RT 4 puntos

杨氏模量 Módulo de Young

430 GPa, codo de 4 puntos, 1300 ℃

导热系数 / ThermalConductividad

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Expansión térmica (CTE)

4,5×10-6K-1

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Le invitamos cordialmente a visitar nuestra fábrica; conversemos más al respecto.

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