-
فرآیند نیمههادی، فرآیند کامل فوتولیتوگرافی
تولید هر محصول نیمههادی نیازمند صدها فرآیند است. ما کل فرآیند تولید را به هشت مرحله تقسیم میکنیم: پردازش ویفر-اکسیداسیون-فتولیتوگرافی-حکاکی-رسوب لایه نازک-رشد اپیتاکسیال-نفوذ-کاشت یون. برای کمک به شما...ادامه مطلب -
۴ میلیارد! SK Hynix از سرمایهگذاری در بستهبندی پیشرفته نیمههادی در پارک تحقیقاتی پردو خبر داد
وست لافایت، ایندیانا - شرکت SK hynix اعلام کرد که قصد دارد نزدیک به 4 میلیارد دلار برای ساخت یک مرکز تولید بستهبندی پیشرفته و تحقیق و توسعه برای محصولات هوش مصنوعی در پارک تحقیقاتی پردو سرمایهگذاری کند. ایجاد یک حلقه کلیدی در زنجیره تأمین نیمههادی ایالات متحده در وست لافایت...ادامه مطلب -
فناوری لیزر منجر به تحول در فناوری پردازش زیرلایه کاربید سیلیکون میشود
1. بررسی اجمالی فناوری پردازش بستر کاربید سیلیکون مراحل فعلی پردازش بستر کاربید سیلیکون شامل موارد زیر است: سنگ زنی دایره بیرونی، برش، پخ زنی، سنگ زنی، پرداخت، تمیز کردن و غیره. برش یک گام مهم در پردازش بستر نیمه هادی است ...ادامه مطلب -
مواد رایج در میدان حرارتی: مواد کامپوزیت کربن/کربن
کامپوزیتهای کربن-کربن نوعی کامپوزیت فیبر کربنی هستند که در آنها فیبر کربن به عنوان ماده تقویتکننده و کربن رسوبشده به عنوان ماده زمینه عمل میکند. زمینه کامپوزیتهای C/C کربن است. از آنجایی که تقریباً بهطور کامل از کربن عنصری تشکیل شده است، مقاومت بسیار خوبی در برابر دمای بالا دارد...ادامه مطلب -
سه تکنیک اصلی برای رشد کریستال SiC
همانطور که در شکل 3 نشان داده شده است، سه تکنیک غالب با هدف ارائه تک بلور SiC با کیفیت و راندمان بالا وجود دارد: اپیتاکسی فاز مایع (LPE)، انتقال بخار فیزیکی (PVT) و رسوب بخار شیمیایی در دمای بالا (HTCVD). PVT یک فرآیند شناخته شده برای تولید SiC sin...ادامه مطلب -
معرفی مختصر نیمههادی نسل سوم GaN و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه داده شد. این ماده اساس توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. مواد نیمه هادی نسل اول ...ادامه مطلب -
۲۳.۵ میلیارد دلار، ابرشرکت تکشاخ سوژو به عرضه اولیه سهام (IPO) میرود
پس از ۹ سال کارآفرینی، اینوساینس بیش از ۶ میلیارد یوان در مجموع تأمین مالی جذب کرده و ارزشگذاری آن به رقم شگفتانگیز ۲۳.۵ میلیارد یوان رسیده است. فهرست سرمایهگذاران آن به اندازه دهها شرکت است: Fukun Venture Capital، Dongfang State-owned Assets، Suzhou Zhanyi، Wujian...ادامه مطلب -
چگونه محصولات پوشش داده شده با کاربید تانتالیوم مقاومت خوردگی مواد را افزایش میدهند؟
پوشش کاربید تانتالیوم یک فناوری معمول برای عملیات سطحی است که میتواند مقاومت به خوردگی مواد را به طور قابل توجهی بهبود بخشد. پوشش کاربید تانتالیوم را میتوان از طریق روشهای مختلف آمادهسازی، مانند رسوب بخار شیمیایی، رسوب فیزیکی، پوششدهی سطحی و غیره، به سطح زیرلایه متصل کرد.ادامه مطلب -
مقدمهای بر نیمههادی نسل سوم GaN و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه داده شد. این ماده اساس توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. مواد نیمه هادی نسل اول ...ادامه مطلب
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur