Kouch CVD

Kouch CVD pou Pwosesis Semi-kondiktè Avanse

Fèt pou anviwònman fabrikasyon semi-kondiktè kritik, kouch Depozisyon Vapè Chimik (CVD) Silisyòm Karbid (SiC), Tantalòm Karbid (TaC), ak Pirolitik Kabòn (PyC) nou yo bay yon inèsi chimik eksepsyonèl, yon estabilite tèmik ekstrèm, ak yon pite ultra-wo (< 5 ppm). Fèt pou pwoteje substrats grafit ak seramik ki gen gwo pite kont plasma agresif, gaz pwosesis reyaktif, ak siklaj tèmik wo, kouch avanse nou yo minimize jenerasyon patikil epi pwolonje dire lavi konpozan yo anpil.Epitaksi Silisyòm/SiC, MOCVD, Gravure Plasma, ak Kwasans Monokristalaplikasyon yo.

Pite Ultra-Segondè (< 5 ppm)

Enpurte metalik ki ba verifye pa GDMS pou anpeche kontaminasyon waf nan pwosesis kritik yo.

Rezistans siperyè Plasma ak Gaz

Estrikti cristalline dans lan pwoteje kont plasma alojèn (CF₄, NF₃, Cl₂) ak gaz koroziv.

Optimize Matche Tèmik

Kontwòl CTE strik elimine mikwo-fant ak delaminasyon kouch anba chòk tèmik grav.

Kalite kouch	Avantaj teknik kle	Aplikasyon Pwosesis Prensipal la
Kouch CVD SiC	Segondè konduktivite tèmik, ekselan rezistans ewozyon plasma	Gravure Sèk, Epitaksi Si, MOCVD, Kwasans Kristal
Kouch CVD TaC	Rezistans tanperati ekstrèm (>2000°C), baryè korozyon H₂/SiH₄	Epitaksi SiC, Kwasans PVT SiC Monokristal
Kouch PyC	Fermeture gaz ermetik, sifas kabòn anizotropik ultra-lis	Izolasyon chan tèmik, CZ Silisyòm monokristalin