Ìbòmọ́lẹ̀ CVD

Àwọn Àwọ̀ CVD fún Ìṣiṣẹ́ Semiconductor Tó Tẹ̀síwájú

A ṣe àgbékalẹ̀ rẹ̀ fún àwọn àyíká ìṣelọ́pọ́ semiconductor pàtàkì, àwọn ìbòrí wa tí a fi ń mú kí ìgbóná ooru jáde (CVD) Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC), àti Pyrolytic Carbon (PyC) ń fúnni ní àìlera kẹ́míkà tó tayọ, ìdúróṣinṣin ooru tó ga jùlọ, àti ìwẹ̀nùmọ́ tó ga jùlọ (< 5 ppm). A ṣe é láti dáàbò bo graphite àti àwọn ohun èlò seramiki tó ga jùlọ kúrò nínú plasma tó lágbára, àwọn gáàsì ìṣiṣẹ́ tó ń ṣe àtúnṣe, àti ìyípo ooru tó ga, àwọn ìbòrí wa tó ti pẹ́ ń dín ìṣẹ̀dá pàǹtí kù, wọ́n sì ń mú kí àkókò ìgbóná náà gùn sí i ní pàtàkì.Silikoni/SiC Epitaxy, MOCVD, Plasma Etching, àti Monocrystal Growthawọn ohun elo.

Ìmọ́tótó Gíga Jùlọ (< 5 ppm)

Àwọn ohun ìdọ̀tí irin tí a fìdí rẹ̀ múlẹ̀ láti GDMS láti dènà ìbàjẹ́ wafer nínú àwọn iṣẹ́ pàtàkì.

Agbara Plasma ati Gaasi to gaju

Ìṣètò kirisita tó wúwo ń dáàbò bo ara rẹ̀ lọ́wọ́ ìṣàn ẹ̀jẹ̀ halogen (CF₄, NF₃, Cl₂) àti àwọn gáàsì oníbàjẹ́.

Ibamu Gbona ti a ṣe iṣapeye

Iṣakoso CTE ti o muna n mu imukuro kekere-ìfọ́ ati fifọ awọ kuro labẹ awọn ipaya ooru ti o lagbara.

Irú Àwọ̀ Anfani Imọ-ẹrọ Pataki Ohun elo Ilana Akọkọ
Ibora CVD SiC Agbara igbona giga, resistance iparun pilasima ti o dara julọ Etch gbígbẹ, Si Epitaxy, MOCVD, Ìdàgbàsókè Kírísítà
Ìbòmọ́lẹ̀ CVD TaC Agbara otutu to gaju (>2000°C), idena ipata H₂/SiH₄ SiC Epitaxy, Ìdàgbàsókè PVT Single-Crystal SiC
Ìbòmọ́lẹ̀ PyC Ìdìdì gáàsì Hermetic, ojú erogba anisotropic tí ó mọ́ tónítóní Idabobo aaye gbona, CZ Monocrystalline Silicon
Iwiregbe lori ayelujara WhatsApp!