Sisèpteur ki kouvri ak carbure Silisyòm lan sea klekonpozan yo itilize nan divès pwosesis fabrikasyon semikondiktè.Nou itilize teknoloji patante nou an pou fè sisèpteur ki kouvri ak carbure Silisyòm lanpite trè wo,bonkouchinifòmiteak yon ekselan lavi sèvis, osi byen kepwopriyete rezistans chimik segondè ak estabilite tèmik.
Enèji VET se laVrè manifakti pwodwi grafit ak carbure Silisyòm Customized ak kouch CVD,ka baydivèspyès Customized pou endistri semi-kondiktè ak fotovoltaik. OEkip teknik ou a soti nan pi gwo enstitisyon rechèch domestik yo, ka bay solisyon materyèl ki pi pwofesyonèlpou ou.
Nou kontinye devlope pwosesis avanse pou bay materyèl ki pi avanse,epiyo te devlope yon teknoloji eksklizif ak patante, ki ka fè lyezon ant kouch la ak substrat la pi sere epi mwens tandans pou dekole.
Fkarakteristik pwodwi nou yo:
1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo jiska 1700℃.
2. Segondè pite akinifòmite tèmik
3. Ekselan rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
4. Segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
5. Pi long lavi sèvis ak plis dirab
| Maladi Kadyovaskilè (MKV) SiC薄膜基本物理性能 Pwopriyete fizik debaz nan CVD SiCkouch | |
| 性质 / Pwopriyete | 典型数值 / Valè tipik |
| 晶体结构 / Estrikti Kristal | Faz FCC β多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 Dansite | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 Dite | 2500 维氏硬度（500g chaj） |
| 晶粒大小 Gwosè grenn | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Pite Chimik | 99.99995% |
| 热容 / Kapasite Chalè | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Tanperati Siblimasyon | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Fòs fleksyon | 415 MPa RT 4 pwen |
| 杨氏模量 / Modil Young lan | 430 Gpa 4pt koube, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TèmlKonduktivite | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 Ekspansyon tèmik (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Nou kontan akeyi ou pou vizite faktori nou an, ann diskite plis!
