CVD премаз

CVD премази за напредну обраду полупроводника

Пројектовани за критична окружења у производњи полупроводника, наши премази од силицијум карбида (SiC), тантал карбида (TaC) и пиролитичког угљеника (PyC) добијени хемијским таложењем из парне фазе (CVD) пружају изузетну хемијску инертност, екстремну термичку стабилност и ултра високу чистоћу (< 5 ppm). Дизајнирани да заштите високочисте графитне и керамичке подлоге од агресивне плазме, реактивних процесних гасова и високог термичког циклуса, наши напредни премази минимизирају стварање честица и значајно продужавају век трајања компоненти.Силицијумска/SiC епитаксија, MOCVD, плазма нагризање и раст монокристалаапликације.

Ултра висока чистоћа (< 5 ppm)

GDMS-верификован низак садржај металних нечистоћа ради спречавања контаминације плочице у критичним процесима.

Супериорна отпорност на плазму и гас

Густа кристална структура штити од халогене плазме (CF₄, NF₃, Cl₂) и корозивних гасова.

Оптимизовано термичко подударање

Строга контрола CTE елиминише микропукотине и деламинацију премаза под јаким термичким шоковима.

Тип премаза	Кључна техничка предност	Примарна процесна апликација
CVD SiC премаз	Висока топлотна проводљивост, одлична отпорност на плазма ерозију	Суво нагризање, силицијумска епитаксија, MOCVD, раст кристала
CVD TaC премаз	Отпорност на екстремне температуре (>2000°C), H₂/SiH₄ заштита од корозије	SiC епитаксија, раст монокристалног SiC PVT методом
PyC премаз	Херметичко заптивање гаса, ултраглатка анизотропна угљенична површина	Термичка изолација, CZ монокристални силицијум