Սրտանոթային հիվանդությունների ծածկույթ

CVD ծածկույթներ առաջադեմ կիսահաղորդչային մշակման համար

Մեր քիմիական գոլորշու նստեցման (CVD) սիլիցիումի կարբիդի (SiC), տանտալի կարբիդի (TaC) և պիրոլիտիկ ածխածնի (PyC) ծածկույթները, որոնք նախագծված են կիսահաղորդչային արտադրության կարևորագույն միջավայրերի համար, ապահովում են բացառիկ քիմիական իներտություն, ծայրահեղ ջերմային կայունություն և գերբարձր մաքրություն (< 5 ppm): Նախագծված են բարձր մաքրության գրաֆիտային և կերամիկական հիմքերը ագրեսիվ պլազմայից, ռեակտիվ պրոցեսային գազերից և բարձր ջերմային ցիկլից պաշտպանելու համար, մեր առաջադեմ ծածկույթները նվազագույնի են հասցնում մասնիկների առաջացումը և զգալիորեն երկարացնում բաղադրիչների կյանքի տևողությունը:Սիլիցիում/SiC էպիտաքսիա, MOCVD, պլազմային փորագրություն և մոնոբյուրեղային աճեցումդիմումներ։

Գերբարձր մաքրություն (< 5 ppm)

GDMS-ով ստուգված ցածր մետաղական խառնուրդներ՝ կարևորագույն գործընթացներում թիթեղների աղտոտումը կանխելու համար։

Բարձրակարգ պլազմային և գազային դիմադրություն

Խիտ բյուրեղային կառուցվածքը պաշտպանում է հալոգենային պլազմայից (CF₄, NF₃, Cl₂) և կոռոզիոն գազերից։

Օպտիմալացված ջերմային համապատասխանեցում

CTE-ի խիստ վերահսկողությունը վերացնում է միկրոճաքերի առաջացումը և ծածկույթի շերտազատումը ուժեղ ջերմային ցնցումների դեպքում։

Ծածկույթի տեսակը	Հիմնական տեխնիկական առավելություն	Առաջնային գործընթացի կիրառում
CVD SiC ծածկույթ	Բարձր ջերմահաղորդականություն, գերազանց պլազմային էրոզիայի դիմադրություն	Չոր փորագրություն, Si էպիտաքսիա, MOCVD, բյուրեղների աճեցում
CVD TaC ծածկույթ	Ծայրահեղ ջերմաստիճանային դիմադրություն (>2000°C), H₂/SiH₄ կոռոզիոն պատնեշ	SiC էպիտաքսիա, SiC PVT միաբյուրեղային աճ
PyC ծածկույթ	Հերմետիկ գազային կնքում, գերհարթ անիզոտրոպ ածխածնային մակերես	Ջերմային դաշտի մեկուսացում, CZ մոնոբյուրեղային սիլիցիում