-
Félvezető folyamat, a fotolitográfia teljes folyamata
Minden félvezető termék gyártása több száz folyamatot igényel. A teljes gyártási folyamatot nyolc lépésre osztjuk: szeletfeldolgozás-oxidáció-fotolitográfia-maratás-vékonyréteg-leválasztás-epitaxiális növekedés-diffúzió-ionbeültetés. Hogy segítsünk...További információ -
4 milliárd! Az SK Hynix félvezető-korszerű tokozási beruházást jelentett be a Purdue Kutatóparkban
West Lafayette, Indiana – Az SK hynix Inc. bejelentette, hogy közel 4 milliárd dollárt fektet be egy mesterséges intelligencia termékekhez használt fejlett csomagolóanyag-gyártó és K+F létesítmény építésébe a Purdue Kutatóparkban. Az amerikai félvezető-ellátási lánc kulcsfontosságú elemét hozzák létre West Lafayettben...További információ -
A lézertechnológia vezeti a szilícium-karbid szubsztrát-feldolgozási technológia átalakulását
1. A szilícium-karbid szubsztrát feldolgozási technológiájának áttekintése A jelenlegi szilícium-karbid szubsztrát feldolgozási lépések a következők: a külső kör csiszolása, szeletelés, letörés, köszörülés, polírozás, tisztítás stb. A szeletelés fontos lépés a félvezető szubsztrát gyártásában...További információ -
Fő hőtéri anyagok: C/C kompozit anyagok
A szén-szén kompozitok egyfajta szénszálas kompozitok, amelyekben a szénszál az erősítőanyag, a lerakódott szén pedig a mátrixanyag. A C/C kompozitok mátrixa szén. Mivel szinte teljes egészében elemi szénből áll, kiválóan ellenáll a magas hőmérsékletnek...További információ -
Három fő technika a SiC kristálynövesztéshez
Amint a 3. ábrán látható, három domináns technika létezik, amelyek célja a SiC egykristályok kiváló minőségű és hatékony előállításának: a folyadékfázisú epitaxia (LPE), a fizikai gőzszállítás (PVT) és a magas hőmérsékletű kémiai gőzleválasztás (HTCVD). A PVT egy jól bevált eljárás a SiC szintetikus kristályok előállítására...További információ -
Harmadik generációs félvezető GaN és a kapcsolódó epitaxiális technológia rövid bemutatása
1. Harmadik generációs félvezetők Az első generációs félvezető technológiát olyan félvezető anyagokra fejlesztették ki, mint a Si és a Ge. Ez az anyagi alapja a tranzisztorok és az integrált áramköri technológia fejlesztésének. Az első generációs félvezető anyagok lefektették...További információ -
23,5 milliárd, Suzhou szuper unikornisa tőzsdére megy
9 évnyi vállalkozói pályafutás után az Innoscience több mint 6 milliárd jüan értékű finanszírozást szerzett, és az értékelése elérte a lenyűgöző 23,5 milliárd jüant. A befektetők listája tucatnyi vállalatéval vetekszik: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...További információ -
Hogyan javítják a tantál-karbid bevonatú termékek az anyagok korrózióállóságát?
A tantál-karbid bevonat egy gyakran használt felületkezelési technológia, amely jelentősen javíthatja az anyagok korrózióállóságát. A tantál-karbid bevonat különböző előkészítési módszerekkel, például kémiai gőzfázisú leválasztással, fizikai...További információ -
Bevezetés a harmadik generációs félvezető GaN-be és a kapcsolódó epitaxiális technológiába
1. Harmadik generációs félvezetők Az első generációs félvezető technológiát olyan félvezető anyagokra alapozták, mint a Si és a Ge. Ez az anyagi alapja a tranzisztorok és az integrált áramköri technológia fejlesztésének. Az első generációs félvezető anyagok lefektették az alapot...További információ