Fréttir

BCD ferli
eftir stjórnanda þann 24-09-18
Hvað er BCD-ferlið? BCD-ferlið er samþætt ferlistækni sem byggir á einni flís og var fyrst kynnt af ST árið 1986. Þessi tækni getur búið til tvípóla, CMOS og DMOS tæki á sama flísinni. Útlit þess minnkar flatarmál flísarinnar til muna. Má segja að BCD-ferlið nýti að fullu...
Lesa meira
BJT, CMOS, DMOS og aðrar tæknilausnir fyrir hálfleiðaravinnslu
eftir stjórnanda þann 24-09-10
Velkomin á vefsíðu okkar fyrir upplýsingar um vörur og ráðgjöf. Vefsíða okkar: https://www.vet-china.com/ Þar sem framleiðsluferlar hálfleiðara halda áfram að gera byltingarkenndar framfarir hefur fræg fullyrðing sem kallast „Moore's Law“ verið á kreiki í greininni. Hún var...
Lesa meira
Flæðietsun í mynsturferli hálfleiðara
eftir stjórnanda þann 24-09-10
Snemma á tíðum stuðlaði blautetsun að þróun hreinsunar- eða öskuunarferla. Í dag er þurretsun með plasma orðin aðal etsunarferlið. Plasma samanstendur af rafeindum, katjónum og stakeindum. Orkan sem beitt er á plasmað veldur því að ystu rafeindir t...
Lesa meira
Rannsóknir á 8 tommu SiC epitaxial ofni og homoepitaxial ferli-II
eftir stjórnanda þann 24-09-04
2 Tilraunaniðurstöður og umræða 2.1 Þykkt og einsleitni epitaxiallagsins Þykkt epitaxiallagsins, lyfjaþéttni og einsleitni eru einn af lykilvísunum til að meta gæði epitaxialskífa. Nákvæmlega stjórnanleg þykkt, lyfjaþéttni...
Lesa meira
Rannsóknir á 8 tommu SiC epitaxial ofni og homoepitaxial ferli-Ⅰ
eftir stjórnanda þann 24-09-04
Eins og er er SiC iðnaðurinn að breytast úr 150 mm (6 tommur) í 200 mm (8 tommur). Til að mæta brýnni eftirspurn eftir stórum, hágæða SiC homoepitaxial skífum í greininni, voru 150 mm og 200 mm 4H-SiC homoepitaxial skífur framleiddar með góðum árangri á do...
Lesa meira
Hagnýting á porous kolefnis porubyggingu -Ⅱ
eftir stjórnanda þann 24-08-27
Velkomin á vefsíðu okkar fyrir upplýsingar um vörur og ráðgjöf. Vefsíða okkar: https://www.vet-china.com/ Eðlis- og efnafræðileg virkjunaraðferð Eðlis- og efnafræðileg virkjunaraðferð vísar til aðferðarinnar til að búa til porous efni með því að sameina ofangreindar tvær aðferðir...
Lesa meira
Hagnýting á porous kolefnis porubyggingu-Ⅰ
eftir stjórnanda þann 24-08-27
Velkomin á vefsíðu okkar fyrir upplýsingar um vörur og ráðgjöf. Vefsíða okkar: https://www.vet-china.com/ Þessi grein greinir núverandi markað fyrir virkt kolefni, framkvæmir ítarlega greiningu á hráefnum virks kolefnis, kynnir uppbyggingu svitahola...
Lesa meira
Hálfleiðaraferlisflæði-II
eftir stjórnanda þann 24-08-23
Velkomin á vefsíðu okkar fyrir upplýsingar um vörur og ráðgjöf. Vefsíða okkar: https://www.vet-china.com/ Etsun á pólý og SiO2: Eftir þetta er umfram pólý og SiO2 etsað burt, það er að segja fjarlægt. Þá er notuð stefnubundin etsun. Við flokkunina...
Lesa meira
Ferli í hálfleiðara
eftir stjórnanda þann 24-08-23
Þú getur skilið þetta jafnvel þótt þú hafir aldrei lært eðlisfræði eða stærðfræði, en það er aðeins of einfalt og hentar byrjendum. Ef þú vilt vita meira um CMOS þarftu að lesa efni þessa tölublaðs, því aðeins eftir að hafa skilið ferlið (þ.e....
Lesa meira