Parti epitassiali in silicio

Componenti rivestiti in SiC CVD per epitassia del silicio (Si Epi)

Progettati con precisione per sistemi di deposizione epitassiale di silicio su singolo wafer e in batch, i nostri suscettori, dischi satellite e componenti per il campo termico rivestiti in SiC CVD offrono un'eccezionale uniformità termica e zero degassamento. Lo strato di rivestimento in β-SiC cubico ad alta densità incapsula completamente il substrato di grafite ad elevata purezza, prevenendo l'incisione con gas reattivi (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) e garantendo livelli di impurità metalliche estremamente bassi (< 5 ppm) durante il processo di deposizione epitassiale di silicio ad alta temperatura (1000 °C - 1200 °C).

Uniformità del campo termico

L'emissività controllata garantisce una precisa uniformità dello spessore del film dal bordo al centro del wafer.

Resistenza all'attacco chimico con HCl

Offre una solida protezione contro i prodotti chimici utilizzati per la pulizia in situ della camera di combustione e contro gli shock termici.

Compatibilità con i sistemi OEM

Lavorazione CNC di precisione per adattarsi agli strumenti epitassiali a wafer singolo da 200 mm/300 mm più diffusi (Applied Materials, ASM).

Parametro tecnico	Valore di specifica	Metodo di prova standard
Materiale di rivestimento	CVD β-SiC (Fase cubica)	Struttura cristallina ad alta densità
Materiale del substrato	Grafite isostatica ultrapura	Densità: 1,82 - 1,88 g/cm³
Purezza chimica	Impurità totali < 5 ppm	GDPR testato
Spessore del rivestimento	80 μm - 150 μm	Uniformità ≤ ±5%