CAMPO DI APPLICAZIONE


Applicazione e prestazioni del prodotto Applicazioni e usi del prodotto
Industria del silicio monocristallino, GaN, AlN, zaffiro e altri supporti MOCVD. - Rivestimento di base in grafite per la crescita epitassiale del silicio monocristallino.
Prestazioni principali: elevata purezza, resistenza all'erosione, elevata conduttività termica, - processo MOCVD, rivestimento di base in grafite per la crescita epitassiale di GaN
Elevata resistenza alle alte temperature, basso coefficiente di dilatazione termica.
| Conduttività termica | 250 W/m °K | Metodo del flash laser, RT |
| Dilatazione termica (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Temperatura ambiente fino a 950 °C, dilatometro in silice |
| Proprietà | Valore | Metodo |
| Densità | 3,21 g/cc | Galleggiamento e dimensione |
| Calore specifico | 0,66 J/g °K | Lampo laser pulsato |
| Forza flessionale | 450 MPa 560 MPa | piegatura a 4 punti, piegatura a 4 punti RT4, 1300° |
| tenacità alla frattura | 2,94 MPa m1/2 | Microindentazione |
| Durezza | 2800 | Vickers, carica da 500 g |
| Modulo elastico Modulo di Young | 450 GPa 430 GPa | piegatura a 4 punti, piegatura RT4 punti, 1300 °C |
| Dimensione del grano | 2 - 10 µm | SEM |

Purezza, struttura SEM, analisi dello spessore diRivestimento in SiC
La purezza dei rivestimenti di SiC su grafite ottenuti tramite CVD raggiunge il 99,9995%. La sua struttura è fcc. I film di SiC depositati su grafite sono orientati secondo la direzione (111), come mostrato dai dati XRD (Fig. 1), indicando un'elevata qualità cristallina. Lo spessore del film di SiC è molto uniforme, come illustrato in Fig. 2.
Figura 2: spessore uniforme dei film di SiC
La struttura cristallina del film di SiC CVD è una struttura cubica a facce centrate e l'orientamento di crescita del film è prossimo al 100%. Analisi SEM e XRD del film di beta-SiC su grafite
BASE EPITASSIALE IN SILICIO MONOCRISTALLINO
Prestazioni del prodotto e prospettive di applicazione.
rivestimento in carburo di silicio (SiC)La base è la migliore base per l'epitassia di silicio monocristallino e GaN, ed è il componente principale del forno di epitassia. La base è un accessorio chiave per la produzione di silicio monocristallino per circuiti integrati di grandi dimensioni. Possiede elevata purezza, resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, buona tenuta all'aria e altre eccellenti caratteristiche dei materiali.
Applicazione e utilizzo del prodotto
Rivestimento di base in grafite per la crescita epitassiale di silicio monocristallino. Adatto per macchine Aixtron, ecc. Spessore del rivestimento: 90~150 µm. Il diametro del cratere del wafer è di 55 mm.
FOTOVOLTAICO SOLARE
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rivestimento del crogiolo in grafiteper silicio monocristallino con metodo di estrazione diretta
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Officina senza polvere di classe 1000
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