Rivestimento SiC rivestito di substrato di grafite per semiconduttori, Rivestimento in carburo di silicio,Suscettore MOCVD,
Suscettore MOCVD, Rivestimento SiC, Rivestimento SiC rivestito di substrato di grafite per semiconduttori, Rivestimento in carburo di silicio,

Il rivestimento in SiC del substrato di grafite per applicazioni di semiconduttori produce un componente con purezza superiore e resistenza all'atmosfera ossidante.
Il rivestimento CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di componenti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in spessori variabili e su componenti di grandi dimensioni.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza fisica agli urti
· Eccellente resistenza chimica
· Super elevata purezza
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante

Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

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