Substrato di grafite rivestito in carburo di silicio per semiconduttori, suscettore MOCVD

Breve descrizione:

Il suscettore rivestito in SiC di VET Energy è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Presenta un'eccellente resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.

Luogo di origine:Zhejiang, Cina (continente)

Composizione chimica:Grafite rivestita in SiC

Resistenza alla flessione:470 MPa

Conduttività termica:300 W/mK

Qualità:Perfetto

Funzione:CVD-SiC

Applicazione:Semiconduttore/Fotovoltaico

Densità:3,21 g/cc

Dilatazione termica:4 10-6/K

Cenere: <5 ppm

Campione:Disponibile

Codice HS:6903100000

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Dettagli del prodotto

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Suscettore rivestito in SiC VET Energyè una soluzione ad alte prestazioni, meticolosamente progettata per offrire prestazioni affidabili e costanti per un lungo periodo di vita, soddisfacendo i rigorosi requisiti della produzione di semiconduttori. Caratterizzato da un'eccezionale resistenza al calore, un'uniformità termica superiore e un'elevata purezza, questo prodotto è ideale per i supporti per wafer MOCVD e altre applicazioni di lavorazione di wafer che richiedono stabilità e precisione. La sua robusta resistenza all'erosione lo rende una scelta eccellente per gli ambienti in cui durata e resistenza chimica sono essenziali.

NostroSuscettore in grafite rivestito in SiCSi tratta di un componente fondamentale nel processo di produzione dei semiconduttori, che sfrutta l'esclusiva tecnologia brevettata di VET Energy per ottenere una purezza estremamente elevata, una superiore uniformità del rivestimento e una notevole stabilità termica. Il rivestimento migliora il substrato di grafite con un'elevata resistenza chimica e una durata utile significativamente maggiore. L'impegno di VET Energy per la qualità ha portato alla creazione di un suscettore rivestito in SiC che soddisfa le esigenze in continua evoluzione del mercato dei supporti per wafer in grafite, stabilendo uno standard elevato per i suscettori in grafite rivestiti in SiC utilizzati inProcessi MOCVD.

Caratteristiche principali dei suscettori rivestiti in SiC:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:Resiste a temperature fino a 1700°C, il che lo rende adatto a condizioni di lavorazione estreme.

2. Elevata purezza e uniformità termica:Garantisce risultati coerenti, vitali perSuscettori MOCVDe altre applicazioni di precisione.

3. Eccellente resistenza alla corrosione:Resistente agli acidi, agli alcali, al sale e a vari reagenti organici.

4. Durezza superficiale migliorata:Superficie compatta con particelle fini che garantiscono maggiore durata e longevità.

5. Durata di servizio prolungata:Progettati per prestazioni durature, superano in prestazioni i suscettori standard rivestiti in carburo di silicio in ambienti di lavorazione difficili.

In qualità di produttore leader, VET Energy è specializzata in grafite personalizzata eprodotti in carburo di siliciocon varie opzioni di rivestimento, tra cuiRivestimento in SiC, Rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetrosoe rivestimento in carbonio pirolitico. Siamo orgogliosi di servire l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico, fornendo suscettori in grafite rivestiti in carburo di silicio che soddisfano specifiche esigenze operative.

Il nostro team tecnico, con esperienza maturata presso i migliori istituti di ricerca nazionali, è impegnato a sviluppare soluzioni di materiali all'avanguardia per le esigenze in continua evoluzione delSuscettore in grafite rivestito in SiCmercato. Grazie al nostro processo brevettato, VET Energy ha sviluppato una tecnologia unica che migliora significativamente la forza di adesione tra il rivestimento in carburo di silicio e il substrato, riducendo il rischio di distacco e aumentando l'affidabilità a lungo termine.

Applicazioni e vantaggi nella lavorazione dei semiconduttori

ILRivestimento in SiC per MOCVDabilitasuscettore di grafitecomponenti per mantenere l'integrità in ambienti ad alta temperatura e corrosivi, il che è vitale per la produzione di semiconduttori di precisione. Questi componenti in grafite rivestiti in SiC sono particolarmente apprezzati nei processi che richiedono suscettori rivestiti in carburo di silicio persupporti per wafer di grafite, che richiedono elevata stabilità termica, purezza e resistenza all'erosione chimica.

Grazie alle nostre avanzate tecniche di rivestimento in carburo di silicio, VET Energy continua a supportare il mercato dei supporti per wafer in grafite offrendo soluzioni personalizzate e ad alte prestazioni.Suscettori in grafite rivestiti in SiCche affrontano le sfide specifiche del settore, dai processi MOCVD alle applicazioni ad alta purezza nel campo dei semiconduttori.