Rivestimento SiC rivestito con substrato di grafite per semiconduttori, rivestimento in carburo di silicio, suscettore MOCVD

Breve descrizione:

Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso.Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.

Luogo d'origine:Zhejiang, Cina (continente)

Numero di modello:Numero di modello:

Composizione chimica:Grafite rivestita in SiC

Resistenza alla flessione:470 MPa

Conduttività termica:300 W/mK

Qualità:Perfetto

Funzione:CVD-SiC

Applicazione:Semiconduttori/Fotovoltaico

Densità:3,21 g/cc

Dilatazione termica:4 10-6/K

Cenere: <5 ppm

Campione:Disponibile

Codice SA:6903100000

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Dettagli del prodotto

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I vantaggi speciali dei nostri suscettori in grafite rivestiti in SiC includono purezza estremamente elevata, rivestimento omogeneo e un'eccellente durata.Hanno anche elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso.Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.

Suscettore MOCVD con rivestimento SiC/rivestito

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante

Applicazione:

Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

Densità apparente:	1,85 g/cm3
Resistività elettrica:	11μΩm
Resistenza alla flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cenere:	<5 ppm
Conduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Il carbonio fornisce suscettori e componenti di grafite per tutti gli attuali reattori epitassia.Il nostro portafoglio comprende suscettori a cilindro per unità applicate e LPE, suscettori pancake per unità LPE, CSD e Gemini e suscettori a wafer singolo per unità applicate e ASM. Combinando forti partnership con i principali OEM, esperienza nei materiali e know-how di produzione, SGL offre il design ottimale per la vostra applicazione.