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  • シリコンカーバイドコーティングとは?

    シリコンカーバイドコーティングとは?

    シリコンカーバイドコーティング(通称SiCコーティング)は、化学蒸着法(CVD)、物理蒸着法(PVD)、溶射法などの方法を用いて表面にシリコンカーバイド層を形成するプロセスを指します。このシリコンカーバイドセラミックコーティングは、表面の強度を向上させます。
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  • 大気圧焼結炭化ケイ素の6つの利点と炭化ケイ素セラミックスの応用

    大気圧焼結炭化ケイ素の6つの利点と炭化ケイ素セラミックスの応用

    大気圧焼結シリコンカーバイドは、研磨材としてだけでなく、新素材として広く利用されており、シリコンカーバイド材料を用いたセラミックスなどのハイテク製品に広く使用されています。では、大気圧焼結シリコンカーバイドの6つの利点と、その利点とは一体何でしょうか?
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  • 窒化ケイ素 – 総合的な性能が最も優れた構造用セラミックス

    窒化ケイ素 – 総合的な性能が最も優れた構造用セラミックス

    特殊セラミックとは、特殊な機械的、物理的、または化学的特性を有するセラミックの一種であり、使用する原材料や製造技術は一般的なセラミックとは大きく異なり、その開発も大きく異なります。特殊セラミックは、その特性や用途に応じて、様々な用途に開発されます。
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  • ジルコニアセラミックスの特性に対する焼結の影響

    ジルコニアセラミックスの特性に対する焼結の影響

    ジルコニウムはセラミック材料の一種で、高強度、高硬度、優れた耐摩耗性、耐酸性・耐アルカリ性、耐高温性などの優れた特性を有しています。工業分野で広く使用されているだけでなく、義歯業界の活発な発展に伴い…
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  • 半導体部品 - SiCコーティンググラファイトベース

    半導体部品 - SiCコーティンググラファイトベース

    SiCコーティングされたグラファイト基板は、有機金属化学気相成長(MOCVD)装置において単結晶基板の支持と加熱に広く使用されています。SiCコーティングされたグラファイト基板の熱安定性、熱均一性、その他の性能パラメータは、エピタキシャル成長の品質に決定的な役割を果たします。
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  • なぜ半導体チップとしてシリコンが使われるのでしょうか?

    なぜ半導体チップとしてシリコンが使われるのでしょうか?

    半導体とは、室温での電気伝導率が導体と絶縁体の中間にある物質です。日常生活でよく見かける銅線のように、アルミ線は導体、ゴムは絶縁体です。導電性の観点から見ると、半導体とは導電性のある物質を指します。
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  • ジルコニアセラミックスの特性に対する焼結の影響

    ジルコニアセラミックスの特性に対する焼結の影響

    ジルコニアセラミックスの特性に対する焼結の影響 セラミック材料の一種であるジルコニウムは、高強度、高硬度、優れた耐摩耗性、耐酸性・耐アルカリ性、耐高温性などの優れた特性を有しています。工業分野で広く使用されているだけでなく、…
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  • 半導体部品 - SiCコーティンググラファイトベース

    半導体部品 - SiCコーティンググラファイトベース

    SiCコーティングされたグラファイト基板は、有機金属化学気相成長(MOCVD)装置において単結晶基板の支持と加熱に広く使用されています。SiCコーティングされたグラファイト基板の熱安定性、熱均一性、その他の性能パラメータは、エピタキシャル成長の品質に決定的な役割を果たします。
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  • 画期的なSiC成長の鍵となるコア材料

    画期的なSiC成長の鍵となるコア材料

    炭化ケイ素結晶が成長するとき、結晶の軸心とエッジの成長界面の「環境」が異なるため、エッジの結晶応力が増加し、結晶エッジに入射光による「総合欠陥」が発生しやすくなります。
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