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SiC結晶成長のための3つの主要な技術
管理者による投稿（2001年7月24日）
図3に示すように、高品質かつ高効率なSiC単結晶を作製するための主要な技術は、液相エピタキシー（LPE）、物理気相輸送（PVT）、高温化学気相成長法（HTCVD）の3つである。PVTは、SiC単結晶を作製するための確立されたプロセスである。
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第三世代半導体GaNおよび関連エピタキシャル技術の概要
管理者による投稿（2020年6月28日）
1. 第三世代半導体　第一世代半導体技術は、SiやGeなどの半導体材料に基づいて開発されました。これは、トランジスタや集積回路技術の開発の材料基盤となっています。第一世代半導体材料は、…
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蘇州の超ユニコーン企業が235億元でIPOへ
管理者による投稿（2020年6月28日）
創業から9年を経て、Innoscienceは総額60億元以上の資金調達に成功し、企業価値は驚異的な235億元に達した。投資家リストは数十社に及び、Fukun Venture Capital、Dongfang State-owned Assets、Suzhou Zhanyi、Wujianなどが挙げられる。
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炭化タンタルコーティングされた製品は、どのようにして材料の耐食性を向上させるのでしょうか？
管理者による投稿（2020年6月25日）
炭化タンタルコーティングは、材料の耐食性を大幅に向上させることができる、一般的に使用されている表面処理技術です。炭化タンタルコーティングは、化学気相成長法、物理蒸着法、化学気相成長法など、さまざまな方法で基材の表面に形成できます。
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第三世代半導体GaNおよび関連するエピタキシャル技術の概要
管理者による投稿（2020年6月25日）
1. 第三世代半導体　第一世代半導体技術は、SiやGeなどの半導体材料に基づいて開発されました。これは、トランジスタや集積回路技術の開発の材料基盤となっています。第一世代半導体材料は、…
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多孔質グラファイトが炭化ケイ素結晶成長に及ぼす影響に関する数値シミュレーション研究
管理者による投稿（2018年6月24日）
SiC結晶成長の基本的なプロセスは、高温での原料の昇華と分解、温度勾配作用下での気相物質の輸送、種結晶上での気相物質の再結晶成長に分けられる。これに基づき、...
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特殊黒鉛の種類
管理者による投稿（2017年6月24日）
特殊黒鉛は、高純度、高密度、高強度の黒鉛材料であり、優れた耐食性、高温安定性、高い電気伝導性を有しています。天然または人工黒鉛を高温熱処理および高圧処理することで製造されます。
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薄膜成膜装置の解析 ― PECVD/LPCVD/ALD装置の原理と応用
管理者による投稿（2012年6月24日）
薄膜成膜とは、半導体の主基板材料上に薄膜層を形成するプロセスです。この薄膜は、絶縁化合物である二酸化ケイ素、半導体であるポリシリコン、金属である銅など、様々な材料で作製できます。成膜に用いられる装置は薄膜成膜装置と呼ばれます。
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単結晶シリコンの成長品質を決定する重要な材料 – 熱場
管理者による投稿（2012年6月24日）
単結晶シリコンの成長プロセスは、完全に熱場内で行われます。良好な熱場は結晶の品質向上に寄与し、結晶化効率を高めます。熱場の設計は、温度勾配の変化を大きく左右します。
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