SiC 코팅 흑연 MOCVD 웨이퍼 캐리어,흑연 서셉터SiC 에피택시의 경우,
탄소는 수용기를 공급합니다., 흑연 에피택시 서셉터, 흑연 서셉터, MOCVD 서셉터, 웨이퍼 서셉터,
CVD-SiC 코팅은 균일한 구조, 치밀한 재질, 고온 저항성, 산화 저항성, 고순도, 내산성 및 내알칼리성, 유기 시약 저항성 등의 특성을 가지며, 물리적 및 화학적 특성이 안정적입니다.
고순도 흑연 소재와 비교했을 때, 흑연은 400℃에서 산화되기 시작하여 산화로 인한 분말 손실을 초래하고, 주변 장치 및 진공 챔버의 환경 오염을 유발하며, 고순도 환경의 불순물 함량을 증가시킵니다.
하지만 SiC 코팅은 1600도에서도 물리적, 화학적 안정성을 유지할 수 있어 현대 산업, 특히 반도체 산업에서 널리 사용되고 있습니다.
당사는 CVD 방식을 이용하여 흑연, 세라믹 및 기타 소재 표면에 SiC 코팅 공정 서비스를 제공합니다. 이 방식은 탄소와 실리콘을 함유한 특수 가스가 고온에서 반응하여 고순도 SiC 분자를 생성하고, 이 분자들이 코팅 소재 표면에 증착되어 SiC 보호층을 형성하는 것입니다. 형성된 SiC는 흑연 기판에 단단히 결합되어 흑연에 특수한 성질을 부여함으로써 흑연 표면을 치밀하고 기공이 없으며 고온, 부식 및 산화에 대한 저항성을 갖도록 합니다.
애플리케이션:
주요 특징:
1. 고온 산화 저항성:
산화 저항성은 섭씨 1700도에 달하는 고온에서도 여전히 매우 우수합니다.
2. 고순도: 고온 염소화 조건에서 화학 기상 증착법으로 제조.
3. 내식성: 높은 경도, 치밀한 표면, 미세 입자.
4. 내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약에 대한 내성.
CVD-SIC 코팅의 주요 사양:
| SiC-CVD | ||
| 밀도 | (g/cc)
| 3.21 |
| 굽힘 강도 | (엠파)
| 470 |
| 열팽창 | (10-6/K) | 4
|
| 열전도율 | (와트/밀리켈빈) | 300 |
공급 능력:
월 10,000개
포장 및 배송:
포장: 표준 및 강화 포장
비닐봉투 + 상자 + 골판지 상자 + 팔레트
포트:
닝보/심천/상하이
소요 기간:
| 수량(개) | 1 – 1000 | 1000개 이상 |
| 예상 소요 시간(일) | 15 | 협상 예정 |
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