Qualitéitsinspektioun fir China Industriell Polykristallin Diamantpulver 3-6um fir Saphirwafer

„Éierlechkeet, Innovatioun, Strengheet an Effizienz“ ass déi persistent Konzeptioun vun eiser Firma fir laangfristeg Entwécklung zesumme mat de Clienten fir géigesäiteg Géigesäitegkeet a géigesäitege Virdeel fir d'Qualitéitsinspektioun fir China Industriell PolykristallinDiamantpulver3-6um fir Saphir Wafer, Mir hunn Zouversiicht, datt mir héichqualitativ Produkter a Léisungen zu engem verstännege Präis, exzellenten After-Sales-Support fir d'Keefer ubidden kënnen. A mir wäerten eng dynamesch laangfristeg Produktioun opbauen.
„Éierlechkeet, Innovatioun, Strengheet an Effizienz“ ass déi persistent Konzeptioun vun eiser Firma fir laangfristeg Entwécklung zesumme mat de Clienten fir géigesäiteg Géigesäitegkeet a géigesäitege Virdeel firChina Syntheteschen Diamant, DiamantpulverMir insistéieren ëmmer op dem Managementprinzip "Qualitéit ass Éischt, Technologie ass Basis, Éierlechkeet an Innovatioun". Mir kënnen nei Produkter kontinuéierlech op en héijen Niveau entwéckelen, fir déi verschidde Bedierfnesser vun de Clienten zefriddenzestellen.
Produktbeschreiwung

Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mam CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden.

Haaptmerkmale:

1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:

D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1600 °C.

2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.

3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.

4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.

Haaptspezifikatioune vun der CVD-SIC Beschichtung