O suporte para wafers de carbeto de silício é um dispositivo de sustentação para wafers, usado principalmente em processos de difusão de semicondutores e células solares. Possui características como resistência ao desgaste, resistência à corrosão, resistência a impactos em altas temperaturas, resistência a bombardeio de plasma, alta capacidade de suportar altas temperaturas, alta condutividade térmica, alta dissipação de calor e longa vida útil, não sendo propenso a curvaturas ou deformações. Nossa empresa utiliza carbeto de silício de alta pureza para garantir a vida útil do produto e oferece projetos personalizados, incluindo diversos suportes para wafers verticais e horizontais.
Ficha técnica do material
| 材料Material | R-SiC |
| 使用温度Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C ( 氧化气氛Ambiente oxidante)1700°C ( 还原气氛Ambiente redutor) |
| Conteúdo de SiC含量SiC (%) | > 99 |
| 自由Si 含量Conteúdo gratuito de Si (%) | < 0,1 |
| 体积密度Densidade aparente (g/cm3) | 2,60-2,70 |
| 气孔率Porosidade aparente (%) | < 16 |
| 抗压强度resistência à compressão (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度Resistência à flexão a frio (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度Resistência à flexão a quente (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数Coeficiente de expansão térmica @1500°C (10-6/°C) | 4,70 |
| 导热系数Condutividade térmica a 1200°C (W/m•K) | 23 |
| 杨氏模量Módulo de elasticidade (GPa) | 240 |
| 抗热震性Resistência ao choque térmico | 很好Extremamente bom |
Ningbo VET Energy Technology Co., LtdÉ uma empresa de alta tecnologia focada na produção e venda de materiais avançados de ponta, materiais e tecnologia.incluindografite, carbeto de silício, cerâmica, tratamento de superfície e assim por diante. Os produtos são amplamente utilizados em células fotovoltaicas, semicondutores, energias renováveis, metalurgia, etc.
Nossa equipe técnica é formada por profissionais das principais instituições de pesquisa nacionais, podendo oferecer soluções de materiais mais especializadas.para você.
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