පුවත්

වේෆර් ඩයිසිං යනු කුමක්ද?
පරිපාලක විසින් 24-10-10 දින
වේෆරයක් සැබෑ අර්ධ සන්නායක චිපයක් බවට පත්වීම සඳහා වෙනස්කම් තුනක් හරහා යා යුතුය: පළමුව, බ්ලොක් හැඩැති ඉන්ගෝට් වේෆර් වලට කපා ඇත; දෙවන ක්‍රියාවලියේදී, පෙර ක්‍රියාවලිය හරහා ට්‍රාන්සිස්ටර වේෆරයේ ඉදිරිපස කැටයම් කර ඇත; අවසාන වශයෙන්, ඇසුරුම් කිරීම සිදු කරනු ලැබේ, එනම් කැපුම් ක්‍රියාවලිය හරහා...
තවත් කියවන්න
අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්‍රයේ සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් යෙදීම
පරිපාලක විසින් 24-10-10 දින
ෆොටෝලිතෝග්‍රැෆි යන්ත්‍රවල නිරවද්‍ය කොටස් සඳහා වඩාත් කැමති ද්‍රව්‍යය අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්‍රයේ, සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් ද්‍රව්‍ය ප්‍රධාන වශයෙන් ඒකාබද්ධ පරිපථ නිෂ්පාදනය සඳහා ප්‍රධාන උපකරණ වන සිලිකන් කාබයිඩ් වැඩ මේසය, මාර්ගෝපදේශක රේල් පීලි, පරාවර්තක, සෙරමික් චූෂණ චක්, ආයුධ, ජී... වැනි... භාවිතා කරයි.
තවත් කියවන්න
තනි ස්ඵටික උදුනක පද්ධති හය මොනවාද?
පරිපාලක විසින් 24-09-23 දින
තනි ස්ඵටික උදුනක් යනු නිෂ්ක්‍රීය වායු (ආගන්) පරිසරයක බහු ස්ඵටික සිලිකන් ද්‍රව්‍ය උණු කිරීම සඳහා ග්‍රැෆයිට් තාපකයක් භාවිතා කරන උපකරණයකි. විස්ථාපනය නොවූ තනි ස්ඵටික වර්ධනය කිරීම සඳහා චොක්‍රල්ස්කි ක්‍රමය භාවිතා කරයි. එය ප්‍රධාන වශයෙන් පහත පද්ධති වලින් සමන්විත වේ: යාන්ත්‍රික...
තවත් කියවන්න
තනි ස්ඵටික උදුනක තාප ක්ෂේත්‍රය තුළ අපට මිනිරන් අවශ්‍ය වන්නේ ඇයි?
පරිපාලක විසින් 24-09-23 දින
සිරස් තනි ස්ඵටික උදුනේ තාප පද්ධතිය තාප ක්ෂේත්‍රය ලෙසද හැඳින්වේ. ග්‍රැෆයිට් තාප ක්ෂේත්‍ර පද්ධතියේ ක්‍රියාකාරිත්වය සිලිකන් ද්‍රව්‍ය උණු කිරීම සහ තනි ස්ඵටික වර්ධනය නිශ්චිත උෂ්ණත්වයක තබා ගැනීම සඳහා වන සමස්ත පද්ධතියටම යොමු වේ. සරලව කිවහොත්, එය සම්පූර්ණ ග්‍රැප්...
තවත් කියවන්න
බල අර්ධ සන්නායක වේෆර් කැපීම සඳහා ක්‍රියාවලි වර්ග කිහිපයක්
පරිපාලක විසින් 20-09-24 දින
වේෆර් කැපීම බල අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනයේ වැදගත් සබැඳියක් වේෆර් කැපීමයි. මෙම පියවර සැලසුම් කර ඇත්තේ අර්ධ සන්නායක වේෆර් වලින් තනි ඒකාබද්ධ පරිපථ හෝ චිප් නිවැරදිව වෙන් කිරීම සඳහා ය. වේෆර් කැපීමේ යතුර වන්නේ සියුම් ව්‍යුහය සහතික කරන අතරම තනි චිප් වෙන් කිරීමට හැකි වීමයි...
තවත් කියවන්න
BCD ක්‍රියාවලිය
පරිපාලක විසින් 24-09-18 දින
BCD ක්‍රියාවලිය යනු කුමක්ද? BCD ක්‍රියාවලිය යනු 1986 දී ST විසින් ප්‍රථම වරට හඳුන්වා දුන් තනි-චිප ඒකාබද්ධ ක්‍රියාවලි තාක්‍ෂණයකි. මෙම තාක්‍ෂණයට එකම චිපයක් මත ද්විධ්‍රැව, CMOS සහ DMOS උපාංග සෑදිය හැකිය. එහි පෙනුම චිපයේ ප්‍රදේශය බෙහෙවින් අඩු කරයි. BCD ක්‍රියාවලිය සම්පූර්ණයෙන්ම භාවිතා කරන බව පැවසිය හැකිය...
තවත් කියවන්න
BJT, CMOS, DMOS සහ අනෙකුත් අර්ධ සන්නායක ක්‍රියාවලි තාක්ෂණයන්
පරිපාලක විසින් 24-09-10 දින
නිෂ්පාදන තොරතුරු සහ උපදේශන සඳහා අපගේ වෙබ් අඩවියට සාදරයෙන් පිළිගනිමු. අපගේ වෙබ් අඩවිය: https://www.vet-china.com/ අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන් අඛණ්ඩව දියුණුවක් ලබා ගන්නා විට, "මුවර්ගේ නීතිය" නමින් ප්‍රසිද්ධ ප්‍රකාශයක් කර්මාන්තය තුළ සංසරණය වෙමින් පවතී. එය ...
තවත් කියවන්න
අර්ධ සන්නායක රටා සැකසීමේ ක්‍රියාවලිය ප්‍රවාහ-කැටයම් කිරීම
පරිපාලක විසින් 24-09-10 දින
මුල් කාලීන තෙත් කැටයම් කිරීම පිරිසිදු කිරීමේ හෝ අළු කිරීමේ ක්‍රියාවලීන්හි වර්ධනය ප්‍රවර්ධනය කළේය. අද වන විට, ප්ලාස්මා භාවිතයෙන් වියළි කැටයම් කිරීම ප්‍රධාන ධාරාවේ කැටයම් ක්‍රියාවලිය බවට පත්ව ඇත. ප්ලාස්මා ඉලෙක්ට්‍රෝන, කැටායන සහ රැඩිකලුන් වලින් සමන්විත වේ. ප්ලාස්මාවට යොදන ශක්තිය t හි පිටතම ඉලෙක්ට්‍රෝන ඇති කරයි...
තවත් කියවන්න
අඟල් 8 SiC එපිටැක්සියල් උදුන සහ හෝමෝපිටැක්සියල් ක්‍රියාවලිය පිළිබඳ පර්යේෂණ-Ⅱ
පරිපාලක විසින් 24-09-04 දින
2 පර්යේෂණාත්මක ප්‍රතිඵල සහ සාකච්ඡාව 2.1 එපිටැක්සියල් ස්ථරයේ ඝණකම සහ ඒකාකාරිත්වය එපිටැක්සියල් ස්ථරයේ ඝණකම, මාත්‍රණ සාන්ද්‍රණය සහ ඒකාකාරිත්වය එපිටැක්සියල් වේෆර්වල ගුණාත්මකභාවය විනිශ්චය කිරීම සඳහා මූලික දර්ශකවලින් එකකි. නිවැරදිව පාලනය කළ හැකි ඝණකම, මාත්‍රණ සම...
තවත් කියවන්න