Ýarymgeçirijileriň önümçiligi kiçi enjam geometriýalaryna, ýokary plastinka geçirijiligine we barha berk hapalanma gözegçiligi standartlaryna tarap ösýän mahaly, termiki gaýtadan işleýän enjamlar öň görülmedik inženerçilik kynçylyklary bilen ýüzbe-ýüz bolýar. LPCVD, termiki oksidlenme, garyndylaryň diffuziýasy we ýokary temperaturada ýumşatmak ýaly prosesler häzir diňe bir berk temperatura deňligini däl, eýsem enjamlaryň has uzak wagtlap işlemegini, bölejikleriň az öndürilmegini we prosesiň gaýtalanmagyny hem talap edýär.
Gazlar, peç turbalary ýa-da çökündi himiki maddalar bilen deňeşdirilende köplenç gözden düşürilse-de, konsol küregi plitalaryň ýokary temperatura şertlerinde nähili hereket edýändigini düýpli kesgitleýär. Köp ösen zawodlarda ol indi ýönekeý sarp edilýän bölek däl-de, durnukly we gaýtalanýan ýarymgeçirijileri gaýtadan işlemek üçin esasy mümkinçilik berýän material hasaplanýar.
SiC konsol kürek näme?
SiC konsolly kürek, esasan ýarymgeçirijili diffuziýa peçlerinde we LPCVD ulgamlarynda ulanylýan ýokary arassa kremniý karbid gurluş bölegidir. Ol adatça ýokary temperaturada işlenilende kwarts ýa-da SiC wafer gaýyklaryny saklap bilýän uzyn konsolly şöhle gurluşy hökmünde dizaýn edilýär.
Komponent, adatça, aşakdaky usullar bilen öndürilýär:
● gaýtadan kristallaşdyrylan kremniý karbidi (RSiC)
● himiki bug bilen çökdürilen kremniý karbidi (CVD SiC)
● ýokary dykyzlykly reaksiýa bilen baglanyşykly SiC materiallary
“CoorsTek” we “Saint-Gobain Performance Ceramics” tarapyndan çap edilen maglumata görä, ýokary arassalykdaky SiC materiallary adatça aşakdakylary görkezýär:
● Ýylylyk geçirijiligi: otag temperaturasynda takmynan 120–200 W/m·K
● Inert atmosferada iň ýokary iş temperaturasy: 1600°C-den ýokary.
● Termal giňelme koeffisiýenti (TGK): takmynan 4.0–4.5×10⁻⁶/K.
● HCl, NH₃, O₂ we hlorlanan proses himiýasyna ajaýyp garşylyk.
LPCVD işläp bejerişde SiC konsol küreginiň roly
Ähli ulanylyşlaryň arasynda LPCVD ulgamlary SiC Cantilever Paddles üçin iň möhüm ulanylyş ýagdaýlarynyň birini emele getirýär.
Şuňa meňzeş prosesler:
● polisilikon çökündisi.
● kremniý nitrid (Si₃N₄).
● pes basyşly oksid çökündisi.
Adatça 500°C we 900°C aralygynda işleýär, köplenç uzak proses sikllerinde we ýokary reaktiv himiki gurşawlarda.
Bu ulgamlaryň içinde konsol kürek bir wagtyň özünde birnäçe möhüm funksiýalary ýerine ýetirýär.
Birinjiden, ol peç turbasyna girýän we çykýan wafer gaýyklary üçin durnukly mehaniki daşamagy üpjün edýär. Häzirki zaman dik peçleri her tapgyrda ýüzlerçe waferi göterip bilýändigi sebäpli, hatda kürekleriň ýeňil deformasiýalary hem waferleriň deňleşdirilmezligine, durnuksyz aralyga ýa-da mehaniki stres toplanmagyna getirip biler.
Ikinjiden, kürek ýylylyk deňliginde möhüm rol oýnaýar. SiC-niň ýokary ýylylyk geçirijiligi ýylylygyň goldaw gurluşy boýunça has deň paýlanmagyna mümkinçilik berýär we çökündi deňligine täsir edip biljek ýerli ýylylyk gradientlerini iň pes derejä düşürýär.
Üçünjiden, pes bölejikleriň döremegi örän möhümdir. Ýarymgeçiriji bölejikler, esasanam ösen logika we güýç ýarymgeçiriji önümçiliginde gönüden-göni zyýanly täsirleri döredýär. Dykyz keramiki gurluşy we güýçli korroziýa garşylygy sebäpli ýokary arassa SiC däp bolan materiallar bilen deňeşdirilende bölejikleriň dökülmeginiň töwekgelçiligini ep-esli azaldýar.
Ösen LPCVD önümçilik liniýalarynda kürekleriň uzak möhletli ölçegli durnuklylygy gönüden-göni täsir edýär:
● plýonkanyň galyňlygynyň yzygiderliligi.
● waferden wafere gaýtalanmagy.
● peçiň iş wagty.
“Ningbo VET Energy” kompaniýasy talap edilýän ýarymgeçiriji önümçilik gurşawy üçin niýetlenen ösen grafit, kremniý karbid keramikasy we CVD bilen örtülen ýarymgeçiriji bölekleri öndürmekde ýöriteleşýär.
Esasy ýarymgeçiriji önümlerine aşakdakylar girýär:
● SiC Konsolly Kürek
● SiC örtülen grafit duýgurlygy
● SiC örtülen wafer daşaýjy
● SiC bilen örtülen ýarym aý bölekleri
● Uglerod-Uglerod Kompozitli Tikler
● Ýumşak Grafit Keçe we Gaty Grafit Keçe
Bu önümler giňden ulanylýar:
● Epitaksiýa ulgamlary
● LPCVD reaktorlary
● Diffuziýa peçleri
● SiC kristallarynyň ösüş ulgamlary
● Ýokary temperaturaly termiki gaýtadan işleýän enjamlar.
SiC we ösen güýçli ýarymgeçiriji önümçiliginiň çalt ösüşi bilen, ýokary arassalykly, ýokary durnuklylykly peç böleklerine bolan isleg artmagyny dowam etdirer. Şu nukdaýnazardan, SiC Cantilever Paddle tehnologiýasy indiki nesil ýarymgeçiriji işlemeleriň esasy elementleriniň biri bolmagynda galar.
Ýerleşdirilen wagty: 2026-njy ýylyň 14-nji maýy