Descripció del producte
La nostra empresa ofereix serveis de processos de recobriment de SiC mitjançant el mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que gasos especials que contenen carboni i silici reaccionen a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície dels materials recoberts, formant una capa protectora de SIC.
Característiques principals:
1. Resistència a l'oxidació a altes temperatures:
La resistència a l'oxidació encara és molt bona quan la temperatura és tan alta com els 1600 C.
2. Alta puresa: fet per deposició química de vapor en condicions de cloració a alta temperatura.
3. Resistència a l'erosió: alta duresa, superfície compacta, partícules fines.
4. Resistència a la corrosió: àcids, àlcalis, sals i reactius orgànics.
Especificacions principals del recobriment CVD-SIC
| Propietats de SiC-CVD | ||
| Estructura cristal·lina | Fase β de la FCC | |
| Densitat | g/cm³ | 3.21 |
| Duresa | Duresa Vickers | 2500 |
| Mida del gra | μm | 2~10 |
| Puresa química | % | 99.99995 |
| Capacitat calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimació | ℃ | 2700 |
| Força feflexural | MPa (RT 4 punts) | 415 |
| Mòdul de Young | Gpa (flexió de 4 punts, 1300 ℃) | 430 |
| Expansió tèrmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivitat tèrmica | (W/mK) | 300 |
-
Pila de combustible d'1 kW per a drons i bicicletes elèctriques
-
Grapa premsada isostàtica d'alta puresa personalitzable...
-
Piles de combustible d'hidrogen a l'engròs a preu de fàbrica per a...
-
Gresol de grafit de carbur de silici SiC, ceràmic...
-
Buix i màniga de rodament de grafit de bona qualitat
-
Corda de carboni de 4 mm de diàmetre