Epitaxia de GaN baseada em silício

Descrição do produto

Nossa empresa oferece serviços de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais. Nesse processo, gases especiais contendo carbono e silício reagem em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, que são depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SiC.

Principais características:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas:

A resistência à oxidação permanece muito boa mesmo quando a temperatura atinge 1600 °C.

2. Alta pureza: produzido por deposição química de vapor sob condições de cloração em alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

Principais especificações do revestimento CVD-SiC